[發(fā)明專利]一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210523258.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103021875A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王虎;郭小偉;諶世廣;謝建友;崔夢(mèng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 aaqfn 框架 產(chǎn)品 二次 塑封 扁平封裝 制作 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝,屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)????
集成電路是信息產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)的核心,是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)的主要組成部分,它的發(fā)展一直伴隨著其功能和器件數(shù)的增加而邁進(jìn)。自20世紀(jì)90年代起,它進(jìn)入了多引腳數(shù)、窄間距、小型薄型化的發(fā)展軌道。無(wú)載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應(yīng)電子產(chǎn)品快速發(fā)展而誕生的一種新的封裝形式,是電子整機(jī)實(shí)現(xiàn)微小型化、輕量化、網(wǎng)絡(luò)化必不可少的產(chǎn)品。
無(wú)載體柵格陣列封裝元件,底部沒有焊球,焊接時(shí)引腳直接與PCB板連接,與PCB的電氣和機(jī)械連接是通過(guò)在PCB焊盤上印刷焊膏,配合SMT回流焊工藝形成的焊點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。該技術(shù)封裝可以在同樣尺寸條件下實(shí)現(xiàn)多引腳、高密度、小型薄型化封裝,具有散熱性、電性能以及共面性好等特點(diǎn)。
AAQFN封裝產(chǎn)品適用于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數(shù)用于手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)及通信設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、微機(jī)、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費(fèi)品市場(chǎng)。掌握其核心技術(shù),具備批量生產(chǎn)能力,將大大縮小國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距,該產(chǎn)品有著廣闊市場(chǎng)應(yīng)用前景。
但是由于技術(shù)難度等限制,目前AAQFN產(chǎn)品在市場(chǎng)上的推廣有一定難度,尤其是在可靠性方面,直接影響產(chǎn)品的使用及壽命,已成為AAQFN封裝件的技術(shù)攻關(guān)難點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝,使集成電路框架與塑封體結(jié)合更加牢固,不受外界環(huán)境影響,直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性。并在一定程度上降低成本。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案:一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝,先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽,第一次塑封是塑封料填充進(jìn)凹槽,背面蝕刻后,再進(jìn)行植球,最后進(jìn)行二次塑封,具體按照以下步驟進(jìn)行;
第一步、減薄:減薄厚度為50μm~200μm;
第二步、劃片:150μm以上晶圓采用普通QFN劃片工藝,厚度在150μm以下晶圓,使用雙刀劃片機(jī)及其工藝;
第三步、框架蝕刻凹槽:用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以內(nèi);
第四步、上芯:采用粘片膠上芯;
第五步、壓焊;?
第六步、一次塑封:用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行塑封;
第七步、激光切割、后固化、植球;
第八步、二次塑封:二次塑封使用30~32um顆粒度的塑封料填充;
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝。
所述的步驟中第四步可采用膠膜片(DAF)代替粘片膠;所述的步驟中第五步、第七步、第九步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽,第一次塑封是塑封料填充進(jìn)凹槽,背面蝕刻后,再進(jìn)行植球,最后進(jìn)行二次塑封,可以有效降低產(chǎn)品整體厚度,適應(yīng)發(fā)展需求;尤其是第二次塑封的塑封料可以與第一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結(jié)構(gòu),顯著提高封裝件的可靠性,且此法易行,生產(chǎn)效率高。
附圖說(shuō)明
圖1??引線框架剖面圖;
圖2??框架上方開孔后剖面圖;
圖3??框架下方開孔后剖面圖;
圖4??上芯后產(chǎn)品剖面圖;
圖5??壓焊后產(chǎn)品剖面圖;
圖6??一次塑封后產(chǎn)品剖面圖;
圖7??框架背面蝕刻后產(chǎn)品剖面圖;
圖8??激光切割后產(chǎn)品剖面圖;
圖9??植球后產(chǎn)品剖面圖;
圖10?二次塑封后產(chǎn)品剖面圖。
圖中:1-引線框架、2-粘片膠、3-芯片、4-鍵合線、5-第一次塑封體、6-框架上方凹槽、7-框架下方凹槽、8-錫球、9-第二次塑封體。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明,以方便技術(shù)人員理解。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





