[發(fā)明專利]一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210523258.0 | 申請日： | 2012-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN103021875A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王虎;郭小偉;諶世廣;謝建友;崔夢 | 申請（專利權(quán)）人： | 華天科技（西安）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710018 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 aaqfn 框架 產(chǎn)品 二次 塑封 扁平封裝 制作 工藝 | ||
1.一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝，其特征在于：先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，第一次塑封是塑封料填充進凹槽，背面蝕刻后，再進行植球，最后進行二次塑封，具體按照以下步驟進行：
第一步、減薄：減薄厚度為50μm～200μm；
第二步、劃片：150μm以上晶圓采用普通QFN劃片工藝，厚度在150μm以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝；
第三步、框架蝕刻凹槽：用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；
第四步、上芯：采用粘片膠上芯；
第五步、壓焊；?
第六步、一次塑封：用傳統(tǒng)塑封料進行塑封；
第七步、激光切割、后固化、植球；
第八步、二次塑封：二次塑封使用30~32um顆粒度的塑封料填充；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝，其特征在于：所述的步驟中第四步可采用膠膜片（DAF）代替粘片膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于AAQFN框架產(chǎn)品二次塑封的扁平封裝件制作工藝，其特征在于：所述的步驟中第五步、第七步、第九步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
