[發明專利]SOI晶圓及其制造方法

有效

• 申請號: 201210521787.7
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103296031A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 清水和宏;山下潤一;蔀拓一郎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種SOI晶圓，具備：

支承襯底；以及

絕緣層，形成于所述支承襯底上，?

在形成有所述絕緣層的所述支承襯底的一個主面形成有規定的空腔圖案，

還具備：活性半導體層，堵塞所述空腔圖案并形成于所述絕緣層上，

所述活性半導體層未形成于所述支承襯底的外周部，

還具備：多個疊合標記圖案，形成于所述支承襯底的所述一個主面側的所述外周部，并確定所述空腔圖案的位置。

2.如權利要求1所述的SOI晶圓，其特征在于，

所述空腔圖案及所述疊合標記圖案以貫通所述絕緣層并到達所述支承襯底的深度形成。

3.如權利要求1所述的SOI晶圓，其特征在于，

所述絕緣層還形成于所述空腔圖案及所述疊合標記圖案內部。

4.一種SOI晶圓的制造方法，具備：

（a）準備支承襯底的工序；

（b）在所述支承襯底上形成絕緣層的工序；

（c）在形成有所述絕緣層的所述支承襯底的一個主面形成規定的空腔圖案的工序；以及

（d）堵塞所述空腔圖案并在所述絕緣層上形成活性半導體層的工序，

所述活性半導體層未形成于所述支承襯底的外周部，

還具備：

（e）在所述支承襯底的所述一個主面側的所述外周部，形成確定所述空腔圖案的位置的多個疊合標記圖案的工序。

5.如權利要求4所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）和所述工序（e）使用相同的曝光掩模同時進行。

6.如權利要求4所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）具備：使用第一曝光掩模進行所述空腔圖案的曝光的工序，

所述工序（e）具備：使用第二曝光掩模進行所述疊合標記圖案的曝光的工序。

7.如權利要求4所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）具備：使用第一曝光掩模進行所述空腔圖案的曝光的工序，

所述工序（e）具備：使用第二曝光掩模進行所述疊合標記圖案的曝光的工序，

所述工序（c）及所述工序（e）參照相同的基準晶圓執行。