[發明專利]硅塊切割固定結構、硅塊切割方法及硅片有效

申請號：	201210520117.3	申請日：	2012-12-05
公開（公告）號：	CN102975302A	公開（公告）日：	2013-03-20
發明（設計）人：	馮文宏	申請（專利權）人：	英利能源（中國）有限公司
主分類號：	B28D7/04	分類號：	B28D7/04;B28D5/04
代理公司：	北京康信知識產權代理有限責任公司 11240	代理人：	吳貴明;張永明
地址：	071051 河***	國省代碼：	河北;13
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	切割固定結構方法硅片
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發明涉及光伏技術領域，具體而言，涉及一種硅塊切割固定結構、硅塊切割方法及硅片。

背景技術

光伏發電是利用半導體材料光生伏打效應原理直接將太陽輻射能轉換為電能的技術。晶體硅塊是制作光伏太陽能電池的主要材料。硅塊切割是電子工業主要原材料硅塊（晶圓）生產的上游關鍵技術，切割的質量與規模直接影響到整個產業鏈的后續生產。在電子工業中，對硅塊的需求主要表現在太陽能光伏發電和集成電路等半導體產業上。

硅塊切割的常用方法：

硅塊加工工藝流程一般經過晶體生長、切斷、破方、外徑滾磨、倒角、研磨、粘接、切片、清洗、包裝等階段。近年來光伏發電和半導體行業的迅速發展對硅塊的加工提出了更高的要求：一方面為了降低制造成本，硅塊趨向大直徑化；另一方面要求硅塊有極高的平面度精度和極小的表面粗糙度。但由于硅材料具有脆、硬等特點，直徑增大造成加工中的翹曲變形，加工精度不易保證；厚度增大、芯片厚度減薄造成了材料磨削量大、效率下降等。

硅塊切片作為硅塊加工工藝流程的關鍵工序，其加工效率和加工質量直接關系到整個硅塊生產的全局。目前，硅塊切片較多采用自由磨粒的多絲切割（固定磨粒線鋸實質上是一種用線性刀具切割）。多絲切割技術是近年來崛起的一項新型硅塊切割技術，它通過金屬絲帶動碳化硅研磨料進行研磨加工來切割硅塊。和傳統的內圓切割相比，多絲切割具有切割效率高、材料損耗小、成本降低、硅塊表面質量高、可切割大尺寸材料、方便后續加工等特點。

如圖1所示，現有技術首先通過AB硅膠將玻璃板3’粘在設備的托盤1’上，然后使用硅膠將硅塊5’粘接到玻璃板3’上，通過一段時間的固化，粘接達到一定的強度之后，即可將硅塊5’放入設備，通過工作臺將托盤1’夾緊，這樣，硅塊5’得到固定。這種固定方式下的硅塊5’在切割過程中，由于硅塊5’的底端有大面積的硅膠殘留，當鋼線切割刀底端時，會有硅膠與硅塊5’產生移位扭動，造成硅塊5’在底端出現崩邊的風險，同時，由于現行的玻璃板3’的尺寸與硅塊5’的等寬，需要消耗大量的硅膠，不僅增加了了硅膠和玻璃板3’的消耗，還會給切割后清除托盤硅膠帶來麻煩，降低工作效率。

發明內容

本發明旨在提供一種硅塊切割固定結構、硅塊切割方法及硅片，有效地減少了硅片崩邊、碎片的幾率。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種硅塊切割固定結構，包括：支撐部；多個粘結條，粘結條相互隔離地設置在支撐部的上表面上；硅塊，通過粘結條固定在支撐部上。

進一步地，上述粘結條等間距地設置在支撐部上。

進一步地，上述支撐部包括相互隔離并與粘結條一一對應的支撐條，粘結條設置在支撐條上。

進一步地，上述粘結條沿硅塊的縱向延伸。

進一步地，上述支撐部的沿縱向延伸的外邊緣位于硅塊5的沿縱向延伸的外邊緣的內側一段距離處。

進一步地，上述一段距離在0.2~2mm之間。

進一步地，上述支撐部的靠近硅塊的縱向邊緣具有倒角。

進一步地，上述硅塊切割固定結構還包括：托盤，支撐部設置在托盤上；硅膠層，硅膠層設置在支撐部與托盤之間將支撐部固定在托盤上。

根據本發明的另一方面，提供了一種硅塊切割方法，硅塊切割方法包括：S1、采用相互隔離的多個粘結條將硅塊固定在支撐部上；S2、沿硅塊的橫向將硅塊切割為硅片。

進一步地，上述步驟S1中還包括在支撐部上等間距地涂覆粘結膠形成粘結條的過程。