[發明專利]光學元件、包括該光學元件的光刻設備、器件制造方法以及所制造的器件

有效

• 申請號: 201210518419.7
• 申請日: 2009-02-24
• 公開（公告）號: CN102981201A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: W·A·索爾;V·Y·班尼恩;J·H·J·莫爾斯;M·M·J·W·范赫彭;A·M·亞庫林
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B5/22;G02B5/26;G03F7/20;G21K1/06;G02B5/08;B82Y10/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

本申請是于2009年2月24日遞交的、申請號為200980106463.3(PCT申請號為PCT/EP2009/001299)、發明名稱為“光學元件、包括該光學元件的光刻設備、器件制造方法以及所制造的器件”的專利申請的分案申請。?

技術領域

本發明涉及一種光學元件和包括這種光學元件的光刻設備，一種用于制造器件的方法以及由該方法制造的器件。更具體地，光學元件可以用作用于激光產生等離子體(LPP)極紫外(EUV)源的反射掠入射光譜純度濾光片。?

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。?

當使用激光產生等離子體源時，激光輻射本身表示由于等離子體的散射和反射而入射到極紫外光刻工具中的相當大量的不想要的輻射。通常，使用具有大約10.6μm波長的CO₂激光器。因為極紫外光刻系統的光學元件對10.6μm具有高的反射率，激光輻射以相當高的功率傳播到光刻工具。功率的一部分最終被晶片吸收，這引起不想要的晶片升溫。?

美國專利第7,196,343B2號公開了一種反射掠入射光譜純度濾光片(SPF)用于過濾深紫外(DUV)輻射。這種SPF包括兩個具有對一個極化深紫外輻射的抗反射(AR)涂層的垂直反射鏡。通過使用如圖5所示的兩個垂直的反射，(大多數未極化的)深紫外輻射由于在襯底中吸收而被有效地抑制。此外，抗反射涂層的特征在于，其對極紫外具有高反射率，使得極紫外輻射大多數被反射。?

所述光譜純度濾光片不適于抑制激光產生等離子體源中的10.6μm輻射，其主要原因是兩個：對10.6μm的抗反射涂層通常對極紫外具有較低的反射率；和通常的反射鏡襯底反射而不是吸收10.6μm輻射。?

發明內容

本發明的實施例可以通過提供光學元件來提高光譜純度，所述光學元件包括：第一層，所述第一層包括第一材料，所述第一層對第一波長的輻射是反射的，其中第一層配置成對第二波長的輻射是基本上透明的或吸收的；第二層，第二層包括第二材料，第二層配置成對所述第二波長的輻射是基本上吸收的；第三層，包括第三材料，位于所述第一層和所述第二層之間，并且第三層對所述第二波長的輻射至少是部分透明的，其中，第一層位于入射輻射的光學路徑的相對于所述第二層的上游，以便提高EUV輻射的光譜純度。?

根據本發明的一方面，提供一種光學元件，包括：第一層，所述第一層包括第一材料，所述第一層配置成對第一波長的輻射是反射的并且對第二波長的輻射至少部分透明；第二層，包括第二材料，第二層配置成對第二波長的輻射是基本上吸收的；第三層，包括第三材料，其位于第一層和第二層之間，并且第三層對第二波長的輻射是至少部分透明的，第一層位于入射輻射的光學路徑的相對于所述第二層的上游，以便?提高所述第一波長的輻射的光譜純度。?

根據本發明的一方面，提供一種光學元件，包括：第一層，所述第一層包括第一材料，第一層配置成沿第一方向對第一波長的輻射是反射的并且對第二波長的輻射至少部分透明；第二層，第二層包括第二材料，第二層配置成沿第二方向對第二波長的輻射是基本上反射的，第一方向和第二方向彼此基本上不同，并且第三層包括第三材料，位于第一層和第二層之間，第三層對第二波長的輻射是至少部分透明的，第一層位于入射輻射的光學路徑的相對于所述第二層的上游，以便提高所述第一波長的輻射的光譜純度。?