[發(fā)明專利]光學元件、包括該光學元件的光刻設(shè)備、器件制造方法以及所制造的器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210518419.7 | 申請日： | 2009-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN102981201A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | W·A·索爾;V·Y·班尼恩;J·H·J·莫爾斯;M·M·J·W·范赫彭;A·M·亞庫林 | 申請（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/20 | 分類號： | G02B5/20;G02B5/22;G02B5/26;G03F7/20;G21K1/06;G02B5/08;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張啟程 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學 元件 包括 光刻 設(shè)備 器件 制造 方法 以及 | ||
1.一種光學元件，用于提高第一波長的輻射的光譜純度，所述光學元件包括第一層、第二層和在第一層和第二層之間的第三層，其中：
第一層包括第一材料；
第二層包括第二材料，所述第二層配置成對所述第二波長的輻射是基本上透明的；和
第三層包括第三材料，位于所述第一層和所述第二層之間，所述第三層對所述第二波長的輻射是基本上透明的；其中
當?shù)谝粚游挥谌肷漭椛涞墓鈱W路徑中相對于所述第二層的上游處，所述第一層配置成沿第一方向?qū)Φ谝徊ㄩL的輻射是基本上反射的且對第二波長的輻射是基本上透明的；和
第三層配置成減小所述第二波長的輻射從所述第二層的面朝所述第一層的頂部表面的反射。
2.如權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成沿第二方向?qū)λ龅诙ㄩL的輻射是基本上反射的，所述第一方向和所述第二方向基本上彼此不同。
3.如權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成對所述第二波長的輻射是基本上衍射的。
4.如權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成對所述第二波長的輻射是基本上散射的。
5.如權(quán)利要求4所述的光學元件，其中，所述第二層的底部表面具有大約所述第二波長量級的長度尺度的表面粗糙度。
6.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光學元件，還包括第四層，其中所述第四層設(shè)置緊靠所述第二層的底部表面。
7.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光學元件，其中，所述第一材料包括由類金剛石碳和TiO2構(gòu)成的組中的至少一種材料；和/或
所述第三材料包括選自由ZnSe、ZnS、GaAs、Ge、ThF4以及YF3構(gòu)成的組中的至少一種材料；和/或
所述第一波長的輻射是極紫外輻射；和/或
所述第二波長的輻射是紅外輻射。
8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光學元件，其中，所述第一層的厚度使得所述第一層配置成用作對第三波長的輻射的抗反射涂層。
9.如權(quán)利要求8所述的光學元件，其中，所述第一層的厚度在1-20nm范圍內(nèi)；和/或
所述第三波長的輻射是深紫外輻射。
10.一種光學裝置，包括至少兩個如前述權(quán)利要求中任一項所述的光學元件，其中第二層沉積到襯底上。
11.一種光學裝置，包括至少兩個如前述權(quán)利要求中任一項所述的光學元件，其中所述至少兩個光學元件的至少兩個第一層相對于彼此基本上垂直地取向。
12.一種光刻設(shè)備，包括如權(quán)利要求10或11所述的至少一種光學裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的光刻設(shè)備，其中，所述光刻設(shè)備還包括：
照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)輻射束；
圖案形成裝置，配置成圖案化所述輻射束；
支撐結(jié)構(gòu)，配置成保持襯底；和
投影系統(tǒng)，配置成將所述圖案化輻射束投影到襯底的目標部分上。
14.一種器件制造方法，包括：
圖案化輻射束以形成圖案化輻射束；
將所述圖案化輻射束投影到襯底上；和
用至少一個光學元件反射所述輻射束，所述光學元件包括：
第一層包括第一材料；
第二層包括第二材料，所述第二層配置成對所述第二波長的輻射是基本上透明的，和
第三層包括第三材料，位于所述第一層和所述第二層之間，所述第三層對所述第二波長的輻射是基本上透明的；其中
當?shù)谝粚游挥谌肷漭椛涞墓鈱W路徑中相對于所述第二層的上游處，所述第一層配置成沿第一方向?qū)Φ谝徊ㄩL的輻射是基本上反射的并且對第二波長的輻射是基本上透明的，
第三層配置成減小所述第二波長的輻射從所述第二層的面朝所述第一層的頂部表面的反射；和
第一層位于入射輻射的光學路徑中相對于所述第二層的上游。
15.如權(quán)利要求14所述的器件制造方法，其中，所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成沿第二方向?qū)λ龅诙ㄩL的輻射是基本上反射的，所述第一方向和所述第二方向是基本上彼此不同的；或
其中所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成對所述第二波長的輻射是基本上衍射的；或
其中所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成基本上散射所述第二波長的輻射；或
其中所述第二層的背對所述第一層的底部表面配置成基本上散射所述第二波長的輻射，且包括具有大約所述第二波長量級的長度尺度的表面粗糙度；和/或
所述的器件制造方法還包括第四層，其中所述第四層設(shè)置緊靠所述底部表面。
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