[發(fā)明專利]半導體器件的檢查裝置和其所使用的吸盤臺

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210518234.6
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103135046A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安田勝男;增田光;根井秀樹
• 申請（專利權(quán)）人: 日本麥可羅尼克斯股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/067;G01R1/02
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 肖華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體器件的檢查裝置和其所使用的吸盤臺，詳細來說，涉及就在晶片狀態(tài)下對在晶片基板的兩面具有電極的半導體器件的電特性進行檢查的半導體器件的檢查裝置和適用于這樣的檢查裝置的吸盤臺。

背景技術(shù)

功率晶體管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等電力用半導體器件、LED、半導體激光器等的半導體器件構(gòu)成為，電流在芯片的上下流動，晶片基板的表面和背面都具有電極。因此，就在晶片狀態(tài)下對這樣的半導體器件電特性進行檢查時，需要使得測定用探針與晶片的表面和背面接觸，為了使得測定用探針與成為被檢查對象的半導體器件正下方的背面接觸，提出了各種的檢查裝置。

例如，在專利文獻1中揭示了如下的檢查裝置：在保持晶片的吸盤臺內(nèi)配置很多探針，選擇性地將它們中的位于被測定器件的背面正下方的探針連接于測試器，由此來對在晶片基板的兩面具有電極的半導體器件的電特性進行測定。

但是，在該專利文獻1所揭示的檢查裝置中，為了依次對形成在晶片上的全部半導體器件進行檢查，需要使得吸盤臺相對于配置在上部的探針移動，具有對配置在吸盤臺內(nèi)的探針和測試器進行連接的電纜的長度必然變長的傾向。連接探針和測試器的電纜的長度變長的話，由電纜構(gòu)成的測定路徑的寄生電感變大，具有無法得到接近作為檢查對象的半導體器件的實際值的大電流測定、動態(tài)特性試驗所需要的過度特性這樣的缺點。因此，即便是通過了晶片狀態(tài)下的檢查的半導體器件，其后也存在在經(jīng)過了接合、成型、預燒工序等之后進行的最終的全規(guī)格（full?spec）檢查中發(fā)現(xiàn)特性不良的情況，在晶片狀態(tài)下的檢查之后進行的各種工序都白費了，導致制品成本的上升、廢棄物數(shù)量的增加這樣的不良情況。

另一方面，在專利文獻2、3中揭示了如下的檢測裝置：將半導體器件載置在導電性比半導體器件大的基臺上，使得表面電極用的探針與半導體器件的表面接觸，同時使背面電極用的探針與未載置所述半導體器件的所述基臺的露出部分接觸。但是，這些專利文獻2、3所揭示的檢查裝置是對單個存在的半導體器件進行檢查的裝置，不是在晶片狀態(tài)下對半導體器件進行檢查，對如何在晶片狀態(tài)下對表背兩面具有電極的半導體器件的特性進行高精度測定沒有提供任何啟示。

鑒于上述那樣的狀況，本申請的申請人在專利文獻4中提出了以下這樣的檢查裝置作為在晶片狀態(tài)下對半導體器件進行檢查的裝置，該檢查裝置將與吸盤臺的上表面電連接的連接器（ポゴピン）設(shè)置在吸盤臺的周邊部，通過使該連接器與連接于設(shè)置在上部的測試器的吸盤導引（チャックリード）板接觸，來實現(xiàn)晶片基板的背面電極與測試器間的電路路徑的縮短。該檢查裝置使得在晶片狀態(tài)下高精度地測定在電力用半導體器件等的基板的兩面具有電極的半導體器件的電特性成為可能，是比較優(yōu)選的，但是如果有以其他的結(jié)構(gòu)也能同樣高精度地進行測定的檢查裝置，就更加理想了。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平5－333098號公報

專利文獻2:日本特開2007－40926號公報

專利文獻3:日本特開2008－101944號公報

專利文獻4:日本特開2011－138865號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明正是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的狀況而作出的，其以提供能夠在晶片狀態(tài)下高精度地測定在晶片基板的兩面具有電極的半導體器件的特性的、結(jié)構(gòu)簡單的半導體器件的檢查裝置和其所使用的吸盤臺為課題。

用于解決課題的手段

本發(fā)明者的發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述的課題而反復銳意研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過取代所述專利文獻5所揭示的連接器和吸盤導引板，而在吸盤臺的形狀上下功夫，能夠以更簡單的結(jié)構(gòu)，縮短測試器和探針間的電氣線路，能夠在晶片狀態(tài)下高精度地測定在晶片基板的兩面具有電極的半導體器件的電特性，從而完成了本發(fā)明。