[發明專利]具有接觸插栓的半導體結構與其形成方法

有效

• 申請號: 201210517708.5
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103855077B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 洪慶文;黃志森;曹博昭;陳界得
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，包含：

提供一基底；

形成一晶體管于該基底上，該晶體管包含一柵極以及一源極/漏極區；

形成一第一內層介電層于該晶體管上，其中所述第一內層介電層的一底面與所述晶體管的柵極的頂面切齊，且所述第一內層介電層為一單層結構；

形成一第一接觸插栓于該第一內層介電層中，該第一接觸插栓電連接該源極/漏極區，且該第一接觸插栓的頂面高于該柵極的一頂面；

形成一第二內層介電層于該第一內層介電層上；以及

形成一第二接觸插栓于該第二內層介電層中以電連接該第一接觸插栓，與形成一第三接觸插栓于該第一內層介電層以及該第二內層介電層中以電連接該柵極。

2.如權利要求1所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中形成該第二接觸插栓與該第三接觸插栓的步驟包含：

在該第二內層介電層中形成一第二開口以暴露出該第一接觸插栓；

在該第二內層介電層以及該第一內層介電層中形成一第三開口以暴露出該柵極；以及

在該第二開口以及該第三開口中填入一第二金屬層。

3.如權利要求2所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中先形成該第二開口，再形成該第三開口。

4.如權利要求2所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中先形成該第三開口，再形成該第二開口。

5.如權利要求1所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中形成該第一接觸插栓的步驟包含：

在該第一內層介電層中形成一第一開口以暴露出該源極/漏極區；

在該第一開口中填入一第一金屬層；以及

一平坦化制作工藝。

6.如權利要求5所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中進行該平坦化步驟后，該柵極的該頂面上還具有一預定厚度的該第一內層介電層。

7.如權利要求6所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中該預定厚度大于100埃。

8.如權利要求5所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中在填入該第一金屬層之前，還包含一自動對準金屬硅化物制作工藝，以在該第一開口中暴露的該源極/漏極區中形成一金屬硅化物層。

9.如權利要求1所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，其中該第一接觸插栓具有一應力。

10.如權利要求1所述的形成具有接觸插栓的半導體結構的方法，還包含形成一蝕刻停止層于該第一內層介電層與該第二內層介電層之間。

11.一種具有接觸插栓的半導體結構，包含：

基底；

晶體管，設置于該基底上，該晶體管包含一柵極以及一源極/漏極區；

第一內層介電層，設置于該晶體管上，其中所述第一內層介電層的一底面與所述晶體管的柵極的頂面切齊，且所述第一內層介電層為一單層結構；

第一接觸插栓，設置于該第一內層介電層中，該第一接觸插栓電連接該源極/漏極區，且該第一接觸插栓的頂面高于該柵極的一頂面；

第二內層介電層，設置于該第一內層介電層上；

第二接觸插栓，設置于該第二內層介電層中以電連接該第一接觸插栓；以及

第三接觸插栓，于該第一內層介電層以及該第二內層介電層中以電連接該柵極。

12.如權利要求11所述的具有接觸插栓的半導體結構，其中該柵極上的該第一內層介電層具有一預定厚度。

13.如權利要求12所述的具有接觸插栓的半導體結構，其中該預定厚度大于100埃。

14.如權利要求11所述的具有接觸插栓的半導體結構，其中該源極/漏極區包含一外延層，突出于該基底。