[發明專利]一種OLED器件

有效

• 申請號: 201210517303.1
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103022377A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 邱勇;劉嵩;何麟
• 申請（專利權）人: 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本發明涉及有機電致發光器件領域，尤其涉及一種具有透明復合陰極的OLED器件。

背景技術

有機電致發光器件(英文全稱為Organic?Light-Emitting?Diode，簡稱為OLED)按照出光方式分為底發射器件（英文全稱為Bottom?OrganicLight-emitting?Device，簡稱為BEOLED）和頂發射器件（英文全稱為TOPOrganic?Light-emitting?Device，簡稱為TEOLED）。BEOLED所用的陽極是透明的，一般通過濺射的方式將的透明的銦錫氧化物ITO(或銦鋅氧化物IZO等)生長在透明基板上作為陽極，器件內部發出的光相繼經過透明陽極、透明基板射出。采用這種方式制作的顯示屏由于驅動電路和顯示區域要同時制作在透明基板上，導致顯示區域面積相對減小，顯示屏的開口率降低。與普通的底發射器件相比，頂發射有機電致發光器件(TEOLED)由于其本身的結構特點，光可以從頂部電極射出，在有源驅動OLED中,像素驅動電路、總線等可以制作在顯示區域的下方，從而避免了驅動電路與顯示區域互相競爭的問題，使得器件的開口率大大提高，進而實現顯示屏的高分辨率。頂發射器件還可以制作在硅基襯底上，從而可制成硅上有機微顯示器。

頂發射器件的主要難點是需要選擇合適的陰極材料，既要具有較低的功函數，以保證有效的電荷注入，又要獲得較好的透光率，且有較低的電阻。美國專利US2003227250A1中公開了一種用于顯示器的透明電極采用了Ag合金薄膜，但其沒有考慮OLED器件所要求的較低陰極功函數的特性。中國專利CN102593373A公開了一種OLED復合透明陰極結構，所述復合透明陰極結構包括透明陰極層以及輔助透明陰極層，輔助透明陰極層設置在透明陰極層上方；所述透明陰極層采用Mg/Ag合金材料，Mg的質量百分比為30%-0.1%，Ag的質量百分比為70%-99.9%，輔助陰極層采用Ag材料制成。該陰極結構中，選用Mg/Ag合金材料作為透明陰極，但由于比例不適當，反而在一定程度上增加了功函數，影響了電子向有機層的有效注入。中國專利CN101034735A公開了一種Mg/Ag合金材料作為透明陰極，并限定其厚度為Mg和Ag的比例為25:1-10:1，該文獻公開的技術方案雖然在一定程度上降低了功函數，提高了器件的光通量，但由于Mg的比例過高，影響了光的出射，進而影響了OLED器件的發光效率，也沒有考慮器件由于光學特性而導致在不同視角觀察引起的色度變化。

發明內容

為此，本發明所要解決的是現有的OLED器件中透明陰極結構功函數高、透光率差的技術問題，提供一種具有較低功函數、較高透光率的OLED復合陰極的OLED器件。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下：

一種OLED器件，包括基板以及依次設置在所述基板上的陽極、有機層和陰極，所述陰極為透明復合陰極，包括由低功函數金屬與Ag構成的合金層、Ag層，以及設置在所述Ag層上的增透層；所述合金層的厚度為3-11nm，所述Ag層的厚度為15-30nm，所述增透層的厚度為30-100nm；所述合金層中，所述低功函數金屬的功函數小于3.7eV，所述低功函數金屬含量與Ag含量的摩爾比是2:1-8:1。

所述合金層的厚度為3-7nm，所述Ag層厚度為15-25nm，所述增透層的厚度為50-100nm。

所述合金層的厚度為7-11nm，所述Ag層厚度為20-30nm，所述增透層的厚度為30-60nm。

所述低功函數金屬選自Mg、Li、K中的一種。

所述增透層的折射率在450nm-650nm波長范圍內大于或者等于1.7。

構成所述增透層的材料選自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。

構成所述增透層的材料選自下述結構式所示的化合物中的一種或多種：

所述有機層為發光層。

所述有機層包括發光層和功能層。

所述功能層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種的組合。

所述基板與所述陽極之間還設置有反射層。

本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：

1、本發明所提供的OLED器件中所述透明復合陰極，一方面，Mg、Li、