[發(fā)明專利]一種OLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210517303.1
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103022377A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 邱勇;劉嵩;何麟
• 申請（專利權）人: 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種OLED器件，包括基板（1）以及依次設置在所述基板（1）上的陽極（3）、有機層和陰極（9），其特征在于：所述陰極（9）為透明復合陰極，包括由低功函數(shù)金屬與Ag構成的合金層、Ag層，以及設置在所述Ag層上的增透層；所述合金層的厚度為3-11nm，所述Ag層的厚度為15-30nm，所述增透層的厚度為30-100nm；所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)小于3.7eV，所述低功函數(shù)金屬含量與Ag含量的摩爾比是2:1-8:1。?

2.根據(jù)權利要求1所述OLED器件，其特征在于：所述合金層的厚度為3-7nm，所述Ag層厚度為15-25nm，所述增透層的厚度為50-100nm。?

3.根據(jù)權利要求1所述OLED器件，其特征在于：所述合金層的厚度為7-11nm，所述Ag層厚度為20-30nm，所述增透層的厚度為30-60nm。?

4.根據(jù)權利要求1-3任一所述OLED器件，其特征在于：所述低功函數(shù)金屬選自Mg、Li、K中的一種。?

5.根據(jù)權利要求1-4任一所述OLED器件，其特征在于：所述增透層的折射率在450nm-650nm波長范圍內(nèi)大于或者等于1.7。?

6.根據(jù)權利要求5所述的OLED器件，其特征在于：構成所述增透層的材料選自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。?

7.根據(jù)權利要求6所述的OLED器件，其特征在于：構成所述增透層的材料選自下述結構式所示的化合物中的一種或多種：?

。

8.根據(jù)權利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機層為發(fā)光層（6）。?

9.根據(jù)權利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機層包括發(fā)光層（6）和功能層。?

10.根據(jù)權利要求9所述的OLED器件，其特征在于，所述功能層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種的組合。?

11.根據(jù)權利要求8-10任一所述的OLED器件，其特征在于，所述基板（1）與所述陽極（3）之間還設置有反射層（2）。?