[發(fā)明專利]一種OLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210517302.7
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103022376A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱勇;劉嵩;李建仁
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及具有透明復(fù)合陰極的OLED器件。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic?Light-Emitting?Diode，簡稱為OLED)按照出光方式分為底發(fā)射器件（英文全稱為Bottom?OrganicLight-emitting?Device，簡稱為BEOLED）和頂發(fā)射器件（英文全稱為TOPOrganic?Light-emitting?Device，簡稱為TEOLED）。BEOLED所用的陽極是透明的，一般通過濺射的方式將的透明的銦錫氧化物ITO(或銦鋅氧化物IZO等)生長在透明基板上作為陽極，器件內(nèi)部發(fā)出的光相繼經(jīng)過透明陽極、透明基板射出。采用這種方式制作的顯示屏由于驅(qū)動電路和顯示區(qū)域要同時制作在透明基板上，導(dǎo)致顯示區(qū)域面積相對減小，顯示屏的開口率降低。與普通的底發(fā)射器件相比，頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件(TEOLED)由于其本身的結(jié)構(gòu)特點，光可以從頂部電極射出，在有源驅(qū)動OLED中，像素驅(qū)動電路、總線等可以制作在顯示區(qū)域的下方，從而避免了驅(qū)動電路與顯示區(qū)域互相競爭的問題，使得器件的開口率大大提高，進(jìn)而實現(xiàn)顯示屏的高分辨率。頂發(fā)射器件還可以制作在硅基襯底上，從而可制成硅上有機(jī)微顯示器。

在頂發(fā)射器件的主要難點是選擇合適的陰極材料，既要具有較低的功函數(shù)，以保證有效的電荷注入，又要獲得較好的透光率，且具有較低的電阻。通常使用透明的ITO(或IZO)或者半透明的金屬作為頂部陰極，由于制作ITO(或IZO)需要用到濺射的方法,高能ITO(或IZO)粒子對于底層的有機(jī)層破壞性很強(qiáng),因此更好的替代方案是采用半透明的金屬來替代ITO(或IZO)作為頂部陰極。其優(yōu)點是容易生長、破壞性小；缺點是金屬的透光性比較差，不利于光的耦合輸出，微腔效應(yīng)較為明顯，在顯示器的應(yīng)用上，發(fā)光強(qiáng)度和顏色隨視角的改變是最大的缺點。因此我們需要在半透明的金屬層上制備一層增透膜，減少光能在光學(xué)元件表面的反射，增加透射光的光通量，而且該增透膜可以改變光的反射角度和透射能量的分布。

中國專利CN101944570A公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其中陰極上含有折射率至少為1.7的有機(jī)覆蓋層以增加透光率，其有機(jī)覆蓋層具體為三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、CBP和或Alq₃，并限定該有機(jī)層的厚度為30nm-90nm。該方案所選的有機(jī)覆蓋層材料沒有考慮有機(jī)材料能隙對出射光的影響，如專利中所述的Alq3由于能隙較小，材料本身成黃綠色，影響了藍(lán)光的出射光；而且所公開的有機(jī)覆蓋層材料隨著波長的增加，折射率多在1.5-1.8的范圍內(nèi)，雖然在一定程度上提高了器件的光通量，但未達(dá)最優(yōu)效果，也沒有考慮器件由于光學(xué)特性而導(dǎo)致在不同視角觀察引起的色度變化。

發(fā)明內(nèi)容

為此，本發(fā)明所要解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中頂發(fā)射OLED器件中透光率低以及不同視角色度變化大的問題，提供一種具有透明復(fù)合陰極的OLED。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明公開了一種OLED器件，包括基板以及依次設(shè)置在所述基板上的陽極、有機(jī)層和陰極，其特征在于，所述陰極為透明復(fù)合陰極，包括透明金屬層和設(shè)置在所述金屬層上的增透層，所述增透層的材料為茚並芴衍生物或并二芴衍生物。

所述增透層的材料選自下述結(jié)構(gòu)式中的一種或多種：

優(yōu)選的，所述透明金屬層為Ag層或由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層。

所述透明金屬層包括Ag層和由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層，所述增透層靠近所述Ag層設(shè)置。

所述低功函數(shù)金屬為Mg、Li、K中的一種。

所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬與Ag含量的摩爾比為3:1-10:1。

所述透明金屬層的厚度為15-40nm，所述增透層的厚度為30-100nm。

所述透明金屬層是Ag層，厚度為15-18nm，所述增透層的厚度為30-90nm。

所述透明金屬層是Ag層，厚度為18-25nm；所述增透層的厚度為30-50nm。

所述透明金屬層是所述合金層，厚度為20-25nm；所述增透層的厚度為30-100nm。

所述透明金屬層是所述合金層，厚度為25-30nm；所述增透層的厚度為30-80nm。

所述透明金屬層包括所述合金層和所述Ag層，且所述合金層的厚度3-7nm，所述Ag層的厚度為15-25nm；所述增透層的厚度為50-100nm。