[發(fā)明專利]一種OLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210517302.7
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103022376A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 邱勇;劉嵩;李建仁
• 申請（專利權）人: 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種OLED器件，包括基板（1）以及依次設置在所述基板（1）上的陽極（3）、有機層和陰極（9），其特征在于，所述陰極（9）為透明復合陰極，包括透明金屬層和設置在所述金屬層上的增透層，所述增透層的材料為茚並芴衍生物或并二芴衍生物。?

2.根據(jù)權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述增透層的材料選自下述結構式中的一種或多種：?

。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述透明金屬層為Ag層或由低功函數(shù)金屬與Ag構成的合金層。?

4.根據(jù)權利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述透明金屬層包括Ag層和由低功函數(shù)金屬與Ag構成的合金層，所述增透層靠近所述Ag層設置。?

5.根據(jù)權利要求3或4所述的OLED器件，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬為Mg、Li、K中的一種。?

6.根據(jù)權利要求3-5任一所述的OLED器件，其特征在于：所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬與Ag含量的摩爾比為3:1-10:1。?

7.根據(jù)權利要求3-6任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層的厚度為15-40nm，所述增透層的厚度為30-100nm。?

8.根據(jù)權利要求3-7一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層是Ag層，厚度為15-18nm，所述增透層的厚度為30-90nm。?

9.根據(jù)權利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層是Ag層，厚度為18-25nm；所述增透層的厚度為30-50nm。?

10.根據(jù)權利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層是所述合金層，厚度為20-25nm；所述增透層的厚度為30-100nm。?

11.根據(jù)權利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層是所述合金層，厚度為25-30nm；所述增透層的厚度為30-80nm。?

12.根據(jù)權利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層包括所述合金層和所述Ag層，且所述合金層的厚度3-7nm，所述Ag層的厚度為15-25nm；所述增透層的厚度為50-100nm。?

13.根據(jù)權利要求3-7任一所述的OLED器件，其特征在于：所述透明金屬層包括所述Ag層和所述合金層，所述合金層的厚度7-11nm，所述Ag層的厚度為20-30nm；所述增透層的厚度為30-60nm。?

14.根據(jù)權利要求1-13任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機層包括發(fā)光層和功能層，所述功能層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種組合。?

15.根據(jù)權利要求14所述的OLED器件，其特征在于，所述陽極（3）與所述基板（1）之間還設置有反射層（2）。?