[發(fā)明專利]具耦合線路的封裝基板構造無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210516307.8 | 申請日： | 2012-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN103050474A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王陳肇 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 耦合 線路 封裝 構造 | ||
1.一種具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述封裝基板構造包含：一介電層，具有一上表面及一下表面；
多個上層線路單元，所述上層線路單元設置于所述介電層的上表面并依序間隔排列，每一上層線路單元具有：一上層耦合段；至少一同層耦合段，自所述上層耦合段的至少一端延伸而成；及至少一上層接點，形成于所述至少一同層耦合段的一端緣，每一上層線路單元的同層耦合段與另一上層線路單元的同層耦合段相鄰且彼此平行設置；
多個下層線路單元，設置于所述介電層的下表面并依序間隔排列，每一下層線路單元具有：一下層耦合段，與所述上層耦合段彼此上下對位；至少一下連接段，自所述下層耦合段的至少一端延伸而成；及至少一下層接點，形成于所述至少一下連接段的一端緣，所述下層接點與對應的上層接點電性連接；及
多個導電孔，形成在所述介電層內(nèi)，所述下層接點通過所述導電孔與所述上層接點電性連接。
2.如權利要求1所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：每一上層線路單元另具有：至少一上連接段，連接在所述上層耦合段及同層耦合段之間。
3.如權利要求1所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述上連接段的寬度由連接所述同層耦合段的一端往連接所述上層耦合段的另一端漸縮。
4.如權利要求1所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述同層耦合段的寬度大于所述上層耦合段的寬度。
5.如權利要求1所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述下連接段的寬度由連接所述下層接點的一端往連接所述下層耦合段的另一端漸縮。
6.一種具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述封裝基板構造包含：一介電層，具有一上表面及一下表面；
多個上層線路單元，所述上層線路單元設置于所述介電層的上表面并依序間隔排列，每一上層線路單元具有：一上層耦合段；兩同層耦合段，分別自所述上層耦合段的兩端延伸而成；及兩上層接點，分別形成于所述兩同層耦合段的一端緣，每一上層線路單元的同層耦合段與另一上層線路單元的同層耦合段相鄰且彼此平行設置；
多個下層線路單元，設置于所述介電層的下表面并依序間隔排列，每一下層線路單元具有：一下層耦合段，與所述上層耦合段彼此上下對位；兩下連接段，分別自所述下層耦合段的兩端延伸而成；及兩下層接點，分別形成于所述兩下連接段的一端緣，所述下層接點與對應的上層接點電性連接；及
多個導電孔，形成在所述介電層內(nèi)，所述下層接點通過所述導電孔與所述上層接點電性連接。
7.如權利要求6所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：每一上層線路單元另具有：至少一上連接段，連接在所述上層耦合段及同層耦合段之間。
8.如權利要求7所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述上連接段的寬度由連接所述同層耦合段的一端往連接所述上層耦合段的另一端漸縮。
9.如權利要求6所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述同層耦合段的寬度大于所述上層耦合段的寬度。
10.如權利要求6所述的具耦合線路的封裝基板構造，其特征在于：所述下連接段的寬度由連接所述下層接點的一端往連接所述下層耦合段的另一端漸縮。
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