[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210514862.7
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103151308A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 大野克巳;根岸將人;鈴木正人
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 毛立群;李浩

技術領域

本發明涉及對激光二極管的化合物半導體襯底等進行解理的方法，特別涉及能夠減少解理從期望的解理線的偏離的半導體裝置的制造方法。

背景技術

通過將單晶切片來形成半導體襯底，單晶具有容易分離的解理面。因此，在解理襯底的情況下，首先，沿著解理面在襯底的一端或者兩端用金剛石筆工具（diamond-point?tool）等形成劃片（刻畫）線。在該劃片線的正下方形成微裂紋（微小的裂紋）。接著，通過向襯底施加應力，從而使微裂紋沿著解理面開口。由此，一邊能夠形成具有原子級的平滑性的解理面，一邊能夠分離襯底（例如，參照專利文獻1）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11–274653號公報（2頁~3頁、圖3~8）。

發明要解決的問題

形成在襯底上的激光二極管等半導體元件是對由與襯底不同的材料構成的異種材料層進行層疊·構圖而形成的。該異種材料層存在具有與襯底不同的解理面的情況。在該情況下，有時在異種材料層中沿與襯底不同的方向進行解理。

此外，半導體元件的圖案沿著襯底的解理面而形成?？墒牵驗楸厝痪哂姓`差，所以存在以下情況：圖案的方向和襯底的解理面的方向稍微偏離，伴隨著解理的進行，偏離累積，被分離成不能作為元件進行工作的形狀。

此外，為了解理，從襯底的背面用刀狀的部件向上頂起?？墒?，有時該部件的長軸和襯底的解理面稍微偏離，會沿部件的長軸方向進行解理。其結果是，解理從期望的解理線較大地偏離，形成產品性能不充分的元件，生產率下降。

發明內容

本發明是為了解決上述那樣的問題而完成的，其目的在于，得到一種能夠減少解理從期望的解理線的偏離的半導體裝置的制造方法。

用于解決問題的方案

本發明的半導體裝置的制造方法的特征在于，具備：在半導體襯底的表面，在期望的解理線上形成起點裂紋，沿著所述期望的解理線斷續地形成多個預備裂紋的工序；以及沿著所述期望的解理線從所述起點裂紋起通過所述多個預備裂紋對所述半導體襯底進行解理的工序，各個預備裂紋具有隨著在解理的進行方向上行進而從所述期望的解理線的外側向所述期望的解理線匯合的裂紋。

發明效果

利用本發明，能夠減少解理從期望的解理線的偏離。

附圖說明

圖1是表示本發明實施方式1的半導體裝置的制造方法的立體圖。

圖2是表示本發明實施方式2的半導體裝置的制造方法的立體圖。

圖3是表示本發明實施方式3的半導體裝置的制造方法的立體圖。

具體實施方式

參照附圖對本發明實施方式的半導體裝置的制造方法進行說明。對相同或對應的結構要素標注相同的附圖標記，存在省略重復說明的情況。

實施方式1.

圖1是表示本發明實施方式1的半導體裝置的制造方法的立體圖。在半導體襯底1的表面2，雖然未詳細圖示，但是在之前的工序中層疊由與半導體襯底1不同的材料構成的異種材料層，并以規則的圖案形成有半導體元件3。在相鄰的半導體元件3之間，存在作為要切斷的部分的切割線4。切割線4的中心線是期望的解理線5。解理不可越過切割線4的端4a、4b行進到半導體元件3內。

首先，在半導體襯底1的表面，在期望的解理線5上的端部形成起點裂紋6，在切割線4內沿著期望的解理線5斷續地形成多個預備裂紋7a、7b。

預備裂紋7a、7b在俯視時為V字型，并具有隨著在解理的進行方向上行進而從期望的解理線5的外側向期望的解理線5匯合的裂紋。預備裂紋7a、7b是利用激光形成的期望深度的槽，并具有與通過尖劃線針（point?scriber）向半導體襯底1的深度方向導入的微裂紋同樣的裂紋引導作用。

接著，利用向上頂起部件將半導體襯底1從背面向上頂起，由此沿著期望的解理線5從起點裂紋6起通過多個預備裂紋7a、7b對半導體襯底1進行解理。

在此，由于上述異種材料層的影響、半導體元件3的圖案和半導體襯底1的解理面的方向偏離、向上頂起部件的長軸和半導體襯底1的解理面偏離等，導致解理8從期望的解理線5偏離。該偏離了的解理8碰撞到預備裂紋7a，沿著預備裂紋7a被引導到期望的解理線5上。在此之后解理8即使從期望的解理線5偏離，也會被預備裂紋7b引導到期望的解理線5上。通過此重復，解理8的進行被限制在切割線4內。因此，能夠減少解理8從期望的解理線5的偏離。其結果是，能夠防止形成產品性能不充分的元件，因此生產率提高。