[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210514862.7
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103151308A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設計）人: 大野克巳;根岸將人;鈴木正人
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 毛立群;李浩

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

在半導體襯底的表面，在期望的解理線上形成起點裂紋，沿著所述期望的解理線斷續(xù)地形成多個預備裂紋的工序；以及

沿著所述期望的解理線從所述起點裂紋起通過所述多個預備裂紋對所述半導體襯底進行解理的工序，

各個預備裂紋具有隨著在解理的進行方向上行進而從所述期望的解理線的外側(cè)向所述期望的解理線匯合的裂紋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，各個預備裂紋在俯視時為V字型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，各個預備裂紋在俯視時為X字型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，各個預備裂紋在俯視時為直線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述多個預備裂紋交錯地配置在所述期望的解理線的左右。