[發(fā)明專利]一種PECVD噴淋電極有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210514034.3 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN102978589A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 刁宏偉;王文靜;趙雷;周春蘭;李海玲;陳靜偉;閆寶軍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院電工研究所 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人: | 關玲 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 噴淋 電極 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種制備硅基薄膜類材料及硅基薄膜太陽能電池的設備,特別涉及一種采用PECVD法制備硅基薄膜類材料及硅基薄膜太陽能電池設備中的噴淋電極。
背景技術
目前,采用等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)制備硅基薄膜材料已經得到廣泛應用。在太陽能電池制備過程中也都采用此法,包括薄膜電池、晶硅電池、異質結電池。在異質結電池制備過程中,因采用經過制絨后的硅片,且制備的硅基薄膜厚度很薄,對PECVD設備要求更高,即PECVD設備在制絨后的硅片上制備的硅基薄膜均勻性必須很好,換句話說也就是對電極結構提出了更高要求,首先是電極噴出的氣流均勻性必須好,其次是電極的電場分布必須均勻。
在真空系統(tǒng)中實現(xiàn)氣流均勻性,必須考慮到氣體流動時的流導,流導是指氣體在真空管道中的流通狀態(tài),氣體的流動狀態(tài)可分為五種不同情況:湍流、湍-粘滯流、粘滯流、粘滯-分子流、分子流;湍流、湍-粘滯流一般只在真空形成初期存在,基本不用考慮對氣流的影響,粘滯流:當壓強和流速逐漸降低,氣流會變成具有不同速度的流動層,內摩擦力對氣流其主要作用;分子流:氣體分子間的碰撞很少,甚至可以忽略,在管道內氣體分子在密度的推動下,由高壓端流向低壓端;粘滯-分子流:是粘滯流和分子流之間的一種狀態(tài)。對氣流狀態(tài)的判斷可依據(jù)管道中平均壓強P與其幾何尺寸的乘積作為判據(jù),當乘積大于1Pa.m為粘滯流,當乘積小于0.03Pa.m為分子流,當乘積位于兩者之間時為粘滯-分子流。
如圖6所示,中國專利CN2758969Y中的電極采用方形設計,雖能滿足空間成本低的要求,但其內部勻氣室的直角拐角處會使氣體在流動過程中產生渦流,渦流會使內部勻氣室內氣體壓強分布不均,影響到氣流均勻性;其外部方形表面也會影響氣流運動速度,造成電極空間區(qū)域內壓強的差異,影響所制備薄膜的均勻性。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術會造成氣流不均勻的缺點,提出一種能使氣流更均勻的噴淋電極,進而改善所制備薄膜的均勻性。
本發(fā)明電極采用圓形設計方案,更有利于氣流的均勻,可提高采用此電極結構制備的硅基薄膜的均勻性,為太陽能電池效率提高做出貢獻。
本發(fā)明電極形狀為圓桶形,開口朝上,下部有底。電極的內部空間被帶有通孔的初級氣體勻氣板分成上下兩個空間。初級氣體勻氣板上的通孔孔徑相同、孔間距相等,通孔以陣列方式排列。電極內部的下部空間為初級氣體緩沖室,位于圓桶形電極的底和初級氣體勻氣板之間;電極內部的上部空間為二級氣體緩沖室,位于初級氣體勻氣板和電極上部的開口之間。初級氣體緩沖室的體積小于二級氣體緩沖室的體積,初級氣體緩沖室內有一用于調整初級氣體緩沖室體積的調整環(huán),調整環(huán)位于電極底部及初級氣體勻氣板之間。所述的調整環(huán)的外徑與初級氣體緩沖室內徑相匹配,調整環(huán)內徑小于其自身外徑,調整環(huán)的下環(huán)形表面與電極的底完全接觸,調整環(huán)的上環(huán)形表面與初級氣體勻氣板完全接觸,通過調整調整環(huán)的內徑和高度,改變初級氣體緩沖室內壓強。電極上部開口有一帶有通孔的二級氣體勻氣板,用以封閉電極的開口。二級氣體勻氣板上的通孔以陣列方式排列,通孔直徑相同,通孔孔間距相等。電極底的中心位置開有一進氣口,進氣口連接進氣管,進氣管外壁有螺紋,螺紋用于將裝配好的電極、屏蔽層、絕緣層鎖緊。依使用環(huán)境情況,電極組成部件可選用316型不銹鋼或熱軋鋁;絕緣層包裹于電極外,材料為陶瓷;屏蔽層包裹于絕緣層外,依使用環(huán)境情況,材料可選316型不銹鋼或熱軋鋁。
本發(fā)明通過改變氣體流動時的流導比及氣流狀態(tài)實現(xiàn)氣體增壓噴淋,并依據(jù)流導及氣流狀態(tài)計算公式進行計算出所需實際尺寸,流導計算公式:U=Q/(P2P1)(Q-流量,P-壓強),氣流狀態(tài)計算公式:P*S(P-平均壓強,S-幾何尺寸)。其特征為,電極的進氣口與初級氣體勻氣板流導比范圍為1:6~1:8,初級氣體勻氣板與二級氣體勻氣板流導比為2:1,初級氣體勻氣板的通孔孔徑大于二級氣體勻氣板孔徑。其原理,氣體從位于電極底的進氣口進入電極內的初級氣體緩沖室時,因初級氣體緩沖室直徑大于進氣口直徑,使得氣體流速下降;通過調整初級氣體緩沖室中調整環(huán)的高度和內徑,使初級氣體緩沖室中平均壓強P與其幾何尺寸的乘積大于1Pa.m,即在初級氣體緩沖室中流動的氣體應為粘滯流,氣流能夠緩慢上升并穿過初級氣體勻氣板到達二級氣體緩沖室中,氣流在二級氣體緩沖室中仍以粘滯流狀態(tài)上升,通過調整初級氣體勻氣板與二級氣體勻氣板流導比,即調整二級氣體勻氣板通孔孔徑及孔數(shù),改變二級氣體勻氣板兩側壓差,實現(xiàn)氣體增壓效果。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





