[發(fā)明專利]版圖驗證規(guī)則中金屬層的測試向量針對不同工藝的可復用生成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210512490.4 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103164568B | 公開(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李寧;侯勁松;王勇;張萍 | 申請(專利權(quán))人: | 天津藍海微科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300457 天津市濱海新區(qū)塘沽開*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 版圖 驗證 規(guī)則 金屬 測試 向量 針對 不同 工藝 可復用 生成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
版圖驗證規(guī)則中金屬層的測試向量針對不同工藝的可復用生成方法是集成電路輔助設(shè)計軟件工具中版圖驗證(DRC)中的一種檢查方法。本發(fā)明屬于集成電路輔助設(shè)計軟件工具中版圖驗證領(lǐng)域。
背景技術(shù)
集成電路(IC)設(shè)計的后期包括版圖設(shè)計和版圖驗證,而這兩項功能是EDA工具中的重要環(huán)節(jié);版圖驗證是根據(jù)版圖設(shè)計規(guī)則、電學規(guī)則和原始輸入的邏輯關(guān)系對版圖設(shè)計進行正確性的驗證并且可以通過對電路和參數(shù)的提取,產(chǎn)生電路模擬的輸入文件進行后模擬,以進一步檢查電學性能。
版圖驗證規(guī)則文件是用來驗證版圖設(shè)計是否符合工藝加工約束條件的重要文件,這個文件的正確與否直接關(guān)系著芯片加工成敗。為了驗證該規(guī)則文件的正確性,需要構(gòu)造很多測試向量,然后分析測試向量的計算結(jié)果是否與版圖驗證規(guī)則文件一致。這里測試向量指的一般是一組版圖圖形,用來反映是否違反設(shè)計規(guī)則的測試用例。
在版圖驗證規(guī)則文件中,針對不同工藝,不同層金屬的規(guī)則通常類型比較類似,但具體規(guī)則尺寸不盡相同,往往需要通過重復編寫不同金屬層的控制語句來生成測試向量。假設(shè)共有n層金屬,一般來說第1層金屬遵循底層金屬的規(guī)則尺寸,第2~n-1層金屬共同遵循中間金屬層的規(guī)則尺寸,第n層金屬遵循頂層金屬的規(guī)則尺寸。普通的構(gòu)造測試向量的方法是:針對每一條金屬規(guī)則,都手工構(gòu)造一個測試向量圖形。這種方法的弱點是:工作量較大,重復性強,需要尋找一種金屬層測試向量針對不同工藝的可復用生成方法。
為了提高生成效率,本發(fā)明提出了一種Under Top Metal虛擬層的生成方法,通過對金屬次頂層進行幾何規(guī)則檢查,簡化了金屬層的測試向量的生成過程。針對1P5M,1P4M,1P3M的工藝僅需要書寫一套測試向量生成規(guī)則文件,該方法會自動生成對應不同工藝的測試向量。針對次頂層金屬與TopVia的Enclosure包含命令,該方法會自動替換次頂層金屬的層名,保證不同工藝的約束正確。
發(fā)明內(nèi)容
假設(shè)一套集成電路加工工藝為1P5M,其中的連接層分別為poly、met1、met2、met3、met4、topme。Poly層用于形成MOS管的柵極,該工藝用戶最多可以用到met1、met2、met3、met4、topme5層金屬層,根據(jù)用戶設(shè)計復雜度不同,允許用戶使用少于5層的金屬布線。如可以使用1P4M、1P3M等。在版圖驗證規(guī)則的測試向量生成中,1P5M為最基本的要求,需要對5層金屬均產(chǎn)生測試向量。1P4M、1P3M等為特殊要求,通過設(shè)置金屬次頂層Under TopMetal虛擬層的生成方法,可實現(xiàn)版圖驗證規(guī)則中金屬層的測試向量針對不同工藝的復用。
首先在層全局設(shè)置中設(shè)置好連接層、孔層、金屬次頂層Under Top Metal。連接層包含了poly、met1、met2、met3、met4、topme,與這些層分別相關(guān)的孔層為cont、via1、via2、via3、topvia。Under Top Metal Layer的含義是Top Metal的直接下層金屬。將Under Top Metal Layer設(shè)置為met4。
設(shè)置方法如圖1所示。
針對1P5M、1P4M、1P3M工藝僅需要書寫一套控制測試向量生成的規(guī)則,該方法會自動生成對應不同工藝的測試向量。針對最基本的1P5M工藝完成控制測試向量生成規(guī)則的書寫。特別地,在書寫金屬次頂層的規(guī)則時,不使用met4,而是使用Under Top Metal Layer作為層名。
以Enclosure包含規(guī)則為例,說明使用Under Top Metal Layer的規(guī)則的書寫方法,如圖2所示。
運行自動生成測試向量的功能,工具自動生成1P5M的測試向量。在所生成的測試向量中,包含了poly、met1、met2、met3、met4、topme,以及與這些層分別相關(guān)的孔層cont、vial、via2、via3、topvia各層的測試向量。
針對次頂層金屬與TopVia的Enclosure包含命令,該方法會自動替換次頂層金屬的層名,自動尋找次頂層金屬與topvia的關(guān)系,Enclosure包含規(guī)則的測試向量生成圖形中使用的次頂層金屬為met4,生成測試向量。如圖3所示。
針對不同用戶的需求,以1P4M工藝為例,不必重新書寫控制測試向量生成的規(guī)則文件,可以利用修改金屬次頂層Under Top Metal設(shè)置的方式,實現(xiàn)測試向量的復用生成。在層全局設(shè)置中修改金屬次頂層Under Top Metal設(shè)置為met3。如圖4所示。
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