[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210511521.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103854977A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘之煒;季勇;崔嚴(yán)勻 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/22 | 分類號(hào): | H01L21/22 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 方世棟;王忠忠 |
| 地址: | 214028 中國(guó)無錫市國(guó)家*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導(dǎo)體 制造 過程 中的 氧化 擴(kuò)散 工藝 擋片舟 組件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝,更具體地,涉及用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件。
背景技術(shù)
目前,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益發(fā)展,?半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝變得越來越重要。
所述氧化擴(kuò)散工藝通常在擴(kuò)散爐管中通過使用石英舟而實(shí)現(xiàn)(即),在其中,石英舟和陪片(即被當(dāng)作假片使用的晶圓片)放置在爐管的兩頭(即爐管的氣體入口側(cè)和氣體出口側(cè)),并且其中待處理的晶圓片被放置在石英舟上,并把該石英舟連同其上的晶圓片放置在懸臂槳上,從而保證在工藝處理時(shí)爐管內(nèi)溫度和氣流的一致性,典型地,石英舟的工作溫度高達(dá)800~1150℃。
然而,上述現(xiàn)有的采用石英舟和陪片的技術(shù)方案存在如下問題:由于石英舟在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期使用,會(huì)發(fā)生變形現(xiàn)象,并且陪片也會(huì)沾污和缺損,故既會(huì)造成損耗從而使成本增高(例如需要根據(jù)石英舟和陪片的使用、變形和缺損程度進(jìn)行更換,以防止其影響或損壞晶圓片),又會(huì)使?fàn)t管內(nèi)的溫度和氣流的均勻性變差,影響待處理晶圓片(即所述氧化擴(kuò)散工藝的目標(biāo)晶圓片)的工藝參數(shù),換句話說,所述石英舟的抗變形能力弱,即剛開始使用時(shí)較為平整,隨之在擴(kuò)散爐內(nèi)承重并受熱后會(huì)很快發(fā)生彎曲現(xiàn)象并在清洗過程中有所損耗,需要頻繁更換(例如3個(gè)月左右更換一次,如果繼續(xù)使用就會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞陪片、均勻性變差等問題),從而導(dǎo)致較高的成本,此外,石英舟上需要裝載陪片才能使用,而陪片厚度薄、易沾污,也需要周期性的更換,從而進(jìn)一步導(dǎo)致成本增高。
因此,存在如下需求:提供具有高的使用壽命、不易變形,成本低的用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)方案所存在的問題,本發(fā)明提出了具有高的使用壽命、不易變形,成本低的用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件,所述擋片舟組件包括擋片基座和至少一個(gè)擋片,所述擋片基座實(shí)質(zhì)上是長(zhǎng)方體的形狀并且具有至少一個(gè)插槽,所述擋片是圓片的形式,其中,在使用時(shí),將所述至少一個(gè)擋片插入到所述擋片基座的所述至少一個(gè)插槽中以形成擋片舟組件。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述至少一個(gè)擋片包括4個(gè)或5個(gè)擋片,并且所述至少一個(gè)插槽對(duì)應(yīng)地包括4個(gè)或5個(gè)插槽。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述擋片在制造過程中經(jīng)過高溫處理。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述擋片的厚度t在3mm至4mm之間。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述擋片的直徑d在130mm至140mm之間。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述擋片基座的長(zhǎng)度l在115mm至125mm之間,所述擋片基座的寬度w在50mm至70mm之間,所述擋片基座的高度h在35mm至40mm之間。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,所述擋片基座和所述擋片由石英構(gòu)成,或者所述擋片基座和所述擋片由碳化硅構(gòu)成。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,在使用中,兩套擋片舟組件被分別設(shè)置在攜載待處理的晶圓片的石英舟的兩側(cè)。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,在使用中,所述兩套擋片舟組件被放置在爐管內(nèi)的懸臂槳上。
在上面所公開的方案中,優(yōu)選地,在使用中,所述兩套擋片舟組件中的各個(gè)檔片的圓心、待處理的晶圓片的圓心以及爐管的圓心三者處于同一水平線上。
本發(fā)明所公開的用于半導(dǎo)體晶圓制造過程中的氧化擴(kuò)散工藝的擋片舟組件具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)由于檔片的圓心、所述待處理的晶圓片的圓心以及爐管的圓心三者處于同一水平線上,故可以確保檔片及待處理的晶圓片在爐管的中間位置,從而保證氣流從爐尾進(jìn)入后均勻的擴(kuò)散到晶圓片的各個(gè)區(qū)域,以便確保晶圓片氧化擴(kuò)散過程中的一致性;(2)由于所使用的檔片不是晶圓片,并且其厚度比晶圓片的厚度大的多,并且檔片在其制造過程中經(jīng)過高溫處理過程,故不易變形,并由此使其使用壽命大幅度延長(zhǎng);(3)由于無需使用需要周期性更換的陪片,故顯著地降低了成本。????
附圖說明
結(jié)合附圖,本發(fā)明的技術(shù)特征以及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)被本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解,其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的擋片舟組件的示意性結(jié)構(gòu)圖;
圖2是包含根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的擋片舟組件的氧化擴(kuò)散工藝設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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