[發明專利]用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件

在審

• 申請號: 201210511521.4
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN103854977A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 潘之煒;季勇;崔嚴勻
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 方世棟;王忠忠

1.一種用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，所述擋片舟組件包括擋片基座和至少一個擋片，所述擋片基座實質上是長方體的形狀并且具有至少一個插槽，所述擋片是圓片的形式，其中，在使用時，將所述至少一個擋片插入到所述擋片基座的所述至少一個插槽中以形成擋片舟組件。

2.根據權利要求1所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述至少一個擋片包括4個或5個擋片，并且所述至少一個插槽對應地包括4個或5個插槽。

3.根據權利要求2所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述擋片在制造過程中經過高溫處理。

4.根據權利要求3所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述擋片的厚度在3mm至4mm之間。

5.根據權利要求4所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述擋片的直徑在130mm至140mm之間。

6.根據權利要求5所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述擋片基座的長度在115mm至125mm之間，所述擋片基座的寬度在50mm至70mm之間，所述擋片基座的高度在35mm至40mm之間。

7.根據權利要求1所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，所述擋片基座和所述擋片由石英構成，或者所述擋片基座和所述擋片由碳化硅構成。

8.根據權利要求1所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，在使用中，兩套擋片舟組件被分別設置在攜載待處理的晶圓片的石英舟的兩側。

9.根據權利要求8所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，在使用中，所述兩套擋片舟組件被放置在爐管內的懸臂槳上。

10.根據權利要求9所述的用于半導體晶圓制造過程中的氧化擴散工藝的擋片舟組件，其特征在于，在使用中，所述兩套擋片舟組件中的各個檔片的圓心、待處理的晶圓片的圓心以及爐管的圓心三者處于同一水平線上。