[發明專利]制造諧振式傳感器的方法

有效

• 申請號: 201210510312.8
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103130179A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 野田隆一郎;吉田隆司
• 申請（專利權）人: 橫河電機株式會社
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01L9/00;G01L1/10
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;李銘

1.一種制造具有振動梁的諧振式傳感器的方法，所述方法包括：

（a）提供SOI襯底（101），所述SOI襯底包括：第一硅層；在所述第一硅層上的氧化硅層；以及在所述氧化硅層上的第二硅層；

（b）通過使用所述氧化硅層作為蝕刻阻擋層來蝕刻所述第二硅層，來形成穿過所述第二硅層的第一間隙（37）和第二間隙（38）；

（c）在所述第二硅層上形成雜質擴散源層（401），其中所述雜質擴散源層配置成將雜質擴散至所述第二硅層中；

（d）通過針對所述SOI襯底進行熱處理對來自所述雜質擴散源層的雜質進行擴散來在所述第二硅層的表面部分中形成雜質擴散層（402）；

（e）通過蝕刻去除所述雜質擴散源層；以及

（f）通過蝕刻來去除所述氧化硅層的至少一部分，以便在所述第一硅層與所述第二硅層的由所述第一間隙和所述第二間隙圍繞的區域之間形成空氣間隙，其中所述第二硅層的由所述第一間隙和所述第二間隙圍繞的所述區域用作所述振動梁。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟（e）和（f）同時被執行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟（f）在所述步驟（e）之后被執行。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述雜質擴散源層配置成將包括其半徑小于硅的半徑的原子的雜質擴散至所述第二硅層中。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述雜質包括硼或磷。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟（c）在所述步驟（b）之后執行，其中所述步驟（c）包括：

（i）在所述第二硅層的上表面上、在所述第二硅層的與所述第一間隙和所述第二間隙接觸的內壁表面上、以及在所述氧化硅層的通過所述第一間隙和所述第二間隙暴露的部分上形成所述雜質擴散源層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟（b）在所述步驟（c）之后執行，其中所述步驟（b）包括：

形成穿過所述雜質擴散源層和所述第二硅層的所述第一間隙和所述第二間隙。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

（g）在所述第二硅層上形成掩模層，其中所述掩模層配置成調節要擴散至所述第二硅層中的雜質的雜質量，以及

其中所述步驟（c）包括：在所述掩模層上形成所述雜質擴散源層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述步驟（c）在所述步驟（b）之后執行，以及所述步驟（g）在所述步驟（b）和所述步驟（c）之間執行，

其中所述步驟（g）包括：

（i）在所述第二硅層的上表面上、在所述第二硅層的與所述第一間隙和所述第二間隙接觸的內壁表面上、以及在所述氧化硅層的通過所述第一間隙和所述第二間隙暴露的部分上形成所述掩模層，以及

其中所述步驟（c）包括：

（i）在所述掩模層上形成所述雜質擴散源層。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述步驟（c）在所述步驟（b）之后執行，以及所述步驟（g）在所述步驟（a）和所述步驟（b）之間執行，

其中所述步驟（b）包括：

（i）形成穿過所述掩模層和所述第二硅層的所述第一間隙和所述第二間隙，以及

其中所述步驟（c）包括：

（i）在所述掩模層上、在所述第二硅層的與所述第一間隙和所述第二間隙接觸的內壁表面上、以及在所述氧化硅層的通過所述第一間隙和所述第二間隙暴露的部分上形成所述雜質擴散源層。