[發明專利]一種硬盤磁頭晶片的生產方法

無效

• 申請號: 201210509547.5
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN102982812A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 王冀康;王永康;范錫印
• 申請（專利權）人: 新鄉醫學院
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;C25D5/02
• 代理公司: 新鄉市平原專利有限責任公司 41107
• 代理人: 于兆惠

1.一種硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于包括以下步驟：（1）、在晶片上濺射黏附層，再濺射一層種子層，然后涂布光刻膠，曝光并顯影所需圖形，烘干；（2）、依次進行三層合金層的電鍍，其中前兩層合金層為難氧化或難腐蝕的合金層，去離子水清洗，褪除光刻膠，氬離子束刻蝕去除所要圖形外的種子層；（3）、涂布光刻膠保護所要的金屬區，用酸溶液腐蝕掉不需要的金屬，再濺射Al₂O₃晶體，研磨以暴露出合金層即形成硬盤磁頭晶片。

2.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（1）中涂布光刻膠的厚度為5.0~5.5μm。

3.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（2）中的三層合金層依次為Ni-Fe層、Ni-P層和Fe-Co-Ni層或Ni-Fe層、Ni-P層和Co-Ni-Fe層或Ni-Fe層、Ni-Pd層和Co-Ni-Fe層或Ni-Fe層、Ni-Pd層和Fe-Co-Ni層。

4.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（2）中合金層的電鍍過程中酸活化溶液為：10L酸活化溶液中含有質量濃度為37%的鹽酸的體積為500ml、去離子水10L和十二烷基硫酸鈉?2.0g，酸活化時間為1min，電鍍過程中根據電鍍合金層的不同設置不同的電鍍條件。

5.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（3）中涂布光刻膠的厚度為6.0~6.5μm。

6.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（3）中濺射Al₂O₃晶體的厚度為7.0~7.5μm。

7.根據權利要求1所述的硬盤磁頭晶片的生產方法，其特征在于：所述步驟（3）中的研磨時間為30min。