[發明專利]提高半導體器件可微縮性的方法在審
| 申請號： | 201210507671.8 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102969280A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 張雄 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 半導體器件 微縮 方法 | ||
1.一種提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于包括：
第一步驟，在淺槽隔離工藝完成后，有源區兩側分別是第一隔離區和第二隔離區，從而自然地形成凹槽結構，有源區表面的襯墊氧化層來自之前的隔離工藝；
第二步驟，用于在硅片表面上沉積氧化物層，所述氧化物層厚度小于1/2的有源區寬度；
第三步驟，用于對氧化物層和襯墊氧化層進行各向異性刻蝕，從而在第一隔離區側形成自對準的第一側壁氧化物，在第二隔離區側形成自對準的第二側壁氧化物；
第四步驟，用于在第一側壁氧化物以及第二側壁氧化物之間生長填充硅；
第五步驟，用于通過選擇性濕法刻蝕去除第一側壁氧化物、第二側壁氧化物和其下的襯墊氧化物，從而在有源區上方形成硅凸起部。
2.根據權利要求1所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于還包括第六步驟，采用各向同性蝕刻對硅凸起部的上方角部進行圓化處理。
3.根據權利要求1或2所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于還包括第七步驟，用于在第六步驟所形成的結構上依次形成隧穿氧化層、浮柵層或氮化硅層、ONO層以及控制柵極層。
4.根據權利要求1或2所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于，在第四步驟中采用選擇性外延生長填充硅單晶層。
5.根據權利要求1或2所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于，所述氧化物層厚度為有源區寬度的1/3。
6.根據權利要求1或2所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于，所述第二步驟采用HTO或TEOS等淀積工藝。
7.一種提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于包括：
第一步驟，在淺槽隔離工藝完成后，有源區兩側分別是第一隔離區和第二隔離區，從而自然地形成凹槽結構，有源區表面的襯墊氧化層來自之前的隔離工藝；
第二步驟，用于在硅片表面上沉積氧化物層，所述氧化物層厚度小于1/2的有源區寬度；
第三步驟，用于對氧化物層和襯墊氧化層進行各向異性刻蝕，從而在第一隔離區側形成自對準的第一側壁氧化物，在第二隔離區側形成自對準的第二側壁氧化物；
第四步驟，利用側壁氧化物作為掩模對有源區中間的襯底進行蝕刻，在有源區1中形成凹陷部；
第五步驟，用于通過選擇性濕法刻蝕去除第一側壁氧化物、第二襯墊氧化物和第二側壁氧化物和其下的襯墊氧化物，，形成中間有凹槽的有源區。
8.根據權利要求7所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于，所述氧化物層厚度為有源區寬度的1/3。
9.根據權利要求7或8所述的提高半導體器件可微縮性的方法，其特征在于，所述第二步驟采用HTO或TEOS等淀積工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
