[發明專利]漂移區的形成方法

在審

• 申請號: 201210507599.9
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN102945809A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 令海陽;黃慶豐
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種漂移區的形成方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底的表面形成柵極介質層；

在所述柵極介質層的表面形成柵極；

涂覆光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述半導體襯底以及所述柵極；

對所述光刻膠層進行曝光、顯影，暴露出所述柵極兩側的柵極介質層；

以所述光刻膠層作為掩膜，刻蝕去除一部分的柵極介質層；

以所述光刻膠層作為阻擋，對剩余的柵極介質層及所述半導體襯底進行離子注入，形成漂移區。

2.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底為N阱或P阱襯底。

3.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述柵極介質層的材質為二氧化硅。

4.如權利要求3所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述柵極介質層采用化學氣相沉積工藝形成。

5.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述柵極介質層的厚度大于400埃。

6.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，剩余的柵極介質層的厚度為80～120埃。

7.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度大于20000埃。

8.如權利要求1所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述漂移區為對稱漂移區。

9.如權利要求8所述的漂移區的形成方法，其特征在于，所述漂移區為P型漂移區或者N型漂移區。