[發明專利]一種提升接觸電阻均勻性的方法在審
| 申請號： | 201210507058.6 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102945826A | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 孔秋東 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提升 接觸 電阻 均勻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提升接觸電阻均勻性的方法，包括：
提供形成有層間介質層的晶圓；
在所述層間介質層上形成硬掩膜層；
研磨所述硬掩膜層和層間介質層，至層間介質層達到所需厚度。
2.如權利要求1所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述硬掩膜層的硬度大于所述層間介質層的硬度，或者，所述硬掩膜層的研磨速率低于所述層間介質層的研磨速率。
3.如權利要求2所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述硬掩膜層的材質為無摻雜的硅玻璃、無摻雜的氧化硅或者氮化硅。
4.如權利要求3所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述硬掩膜層是利用化學氣相沉積的方法形成的。
5.如權利要求2所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述層間介質層的材質為氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃或摻雜的氧化硅。
6.如權利要求1所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述硬掩膜層的厚度為10nm~50nm。
7.如權利要求6所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：所述層間介質層的厚度為700nm~900nm。
8.如權利要求1所述的提升接觸電阻均勻性的方法，其特征在于：利用化學機械研磨工藝研磨所述硬掩膜層和層間介質層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
