[發(fā)明專利]超低功耗鍵掃式狀態(tài)選擇電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210507035.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN103023484A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫海威半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/094
• 分類號(hào): H03K19/094
• 代理公司: 無錫華源專利事務(wù)所 32228
• 代理人: 孫力堅(jiān)

1.一種超低功耗鍵掃式狀態(tài)選擇電路，其特征在于：包括上拉管、沿產(chǎn)生電路以及鎖存電路；所述沿產(chǎn)生電路的輸入端連接時(shí)鐘信號(hào)，沿產(chǎn)生電路的輸出端與上拉管的柵極連接；所述上拉管為PMOS管，上拉管的源極連接電源電壓，上拉管的漏極與鎖存電路的輸入端連接；所述鎖存電路的輸入端引出引腳，鎖存電路的輸出端連接內(nèi)部電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超低功耗鍵掃式狀態(tài)選擇電路，其特征在于：所述沿產(chǎn)生電路由第一反相器和或門組成；時(shí)鐘信號(hào)連接或門的一個(gè)輸入端，并經(jīng)第一反相器連接或門的另一個(gè)輸入端；或門的輸出端與所述上拉管的柵極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超低功耗鍵掃式狀態(tài)選擇電路，其特征在于：所述鎖存電路由PMOS管和第二反相器組成；第二反相器的一端與所述上拉管的漏極連接并引出引腳，第二反相器的另一端連接內(nèi)部電路；PMOS管的漏極連接第二反相器的引腳端，PMOS管的柵極連接第二反相器的內(nèi)部電路端，PMOS管的源極連接電源電壓。