[發明專利]光電半導體裝置無效

申請號：	201210506094.0	申請日：	2012-11-30
公開（公告）號：	CN103855294A	公開（公告）日：	2014-06-11
發明（設計）人：	施權峰;傅圣文;吳炫達;賴志銘;郭鐘亮	申請（專利權）人：	樂利士實業股份有限公司
主分類號：	H01L33/64	分類號：	H01L33/64;H01L33/62
代理公司：	北京戈程知識產權代理有限公司 11314	代理人：	程偉;王錦陽
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	光電半導體裝置
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種光電半導體裝置，詳言之，涉及一種電路板具有孔洞的垂直電極型光電半導體裝置。

背景技術

為了提高半導體元件的效率，越來越多的半導體元件朝向高功率發展，例如高亮度發光二極管（High?Brightness?LED）、聚光型太陽能電池（HCPV）、功率放大器（PA）、雙極型晶體管（Bipolar?Transistor）、高電子遷移率晶體管（High?Electron?Mobility?Transistor，HEMT）、光敏二極管、激光二極管及集成電路元件等。

由于高功率的半導體元件在工作時通常會產生大量的熱，若熱能無法適時地排除，將會使半導體元件的性能受損。在高溫的半導體工作溫度下，會導致其工作效率變差，發光二極管還有顏色漂移的問題。尤其是聚光型太陽能電池及高功率發光二極管，其散熱能力更顯重要。因此，高功率半導體/光電半導體元件需要快速有效的散熱。

參考圖1，顯示現有光電半導體裝置的剖視示意圖。該光電半導體裝置1包括一光電半導體元件，進一步的為一發光二極管（LED）元件10、一基板12、一容器16及一冷卻水14。該基板12為一封裝基板，且具有一第一表面121及一第二表面122。該發光二極管元件10位于該基板12的第一表面121。該基板12的第二表面122位于該容器16上。該冷卻水14在該容器16內流動，以帶走該發光二極管元件10發光所產生的熱。

該現有光電半導體裝置1的缺點如下。該發光二極管元件10的熱先通過該基板12及該容器16的側壁之后才會進入該冷卻水14，而被該冷卻水14帶走。由于該基板12及該容器16通常不是熱的良導體，因此，該發光二極管元件10的熱并無法快速地傳導到該冷卻水14，導致該現有光電半導體裝置1的散熱效率并不高。換言之，現有技術的熱阻過大。

發明內容

本發明提供一種光電半導體裝置，其包括一電路板、一光電半導體元件及至少一導線。該電路板具有一基板、一電路層及至少一孔洞，該電路層為鄰接到該基板，該孔洞為位于該基板。該光電半導體元件具有一頂電極及一底電極，該頂電極位于該光電半導體元件的頂部，該底電極位于該光電半導體元件的底部，該底電極為鄰接且電氣連接至該電路板的電路層，其中該光電半導體元件的位置為相對于該電路板的孔洞。該導線電氣連接該光電半導體元件的頂電極至該電路板的電路層。該孔洞供一冷卻液在其內流動，從而吸收且帶走該光電半導體元件的熱。因此，可有效地降低該光電半導體元件的工作溫度。

本發明另提供一種光電半導體裝置，其包括一電路板、一光電半導體元件、至少一導線、一均熱裝置及一冷卻液。該電路板具有至少一孔洞，該孔洞貫穿該電路板。該光電半導體元件具有一頂電極及一底電極，該頂電極位于該光電半導體元件的頂部，該底電極位于該光電半導體元件的底部，其中該光電半導體元件的底電極完全蓋住該孔洞且電氣連接至該電路板，且部分該底電極顯露于該孔洞中。該導線電氣連接該光電半導體元件的頂電極至該電路板。該均熱裝置附著至該電路板，且具有一中空容置空間及至少一開口，該中空容置空間為經由該開口連通至該電路板的孔洞。該冷卻液位于該中空容置空間及該電路板的孔洞內，且用以接觸該底電極，從而吸收該光電半導體元件的熱以形成一蒸發氣體而在該均熱裝置內流動，其中該冷卻液為不導電材料，其電阻率大于1000Ωm。因此，可有效地降低該光電半導體元件的工作溫度。

附圖說明

圖1顯示現有光電半導體裝置的剖視示意圖；

圖2顯示本發明光電半導體裝置的一實施例的剖視示意圖；

圖3顯示本發明光電半導體裝置的另一實施例的剖視示意圖；

圖4顯示本發明光電半導體裝置的另一實施例的剖視示意圖；

圖5顯示本發明光電半導體裝置的另一實施例的剖視示意圖；

圖6顯示本發明光電半導體裝置的另一實施例的立體示意圖；及

圖7顯示圖6的剖視示意圖。

主要元件符號說明

1?????現有光電半導體裝置

2?????本發明光電半導體裝置的一實施例

2a????本發明光電半導體裝置的另一實施例