[發明專利]光電半導體裝置

無效

• 申請號: 201210506094.0
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN103855294A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 施權峰;傅圣文;吳炫達;賴志銘;郭鐘亮
• 申請（專利權）人: 樂利士實業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種光電半導體裝置，包括：

一電路板，具有一基板、一電路層及至少一孔洞，所述電路層鄰接所述基板，所述孔洞位于所述基板；

至少一光電半導體元件，具有一頂電極及一底電極，所述頂電極位于所述光電半導體元件的頂部，所述底電極位于所述光電半導體元件的底部，所述底電極鄰接且電氣連接至所述電路板的電路層，其中所述光電半導體元件的位置相對于所述電路板的孔洞；及

至少一導線，電氣連接所述光電半導體元件的頂電極至所述電路板的電路層。

2.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，其中所述光電半導體元件至少包含發光二極管、光敏二極管、光電池、太陽能電池、電致發光二極管、激光二極管、功率放大器或集成電路元件。

3.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，其中所述基板的材料為高導熱的金屬，所述電路板還具有一絕緣層，所述絕緣層位于所述基板上，所述電路層位于所述絕緣層上，所述孔洞貫穿所述基板，且部分所述絕緣層顯露于所述孔洞中。

4.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，其中所述光電半導體元件的底電極全部接合至所述電路板的電路層。

5.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，還包括一個次載體，所述光電半導體元件的底電極全部接合至所述次載體，所述孔洞貫穿所述基板及所述電路層，且所述次載體完全蓋住所述孔洞。

6.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，其中所述光電半導體元件還包括一電屏障層，位于所述光電半導體元件的底部，所述光電半導體元件的底電極圍繞所述電屏障層，所述孔洞貫穿所述基板及所述電路層，且顯露所述電屏障層。

7.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，其中所述光電半導體元件的底電極直接接合至所述電路板的電路層，所述孔洞貫穿所述基板及所述電路層，且顯露部分所述底電極。

8.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，還包括一封膠材料，位于所述電路板的電路層以包覆所述光電半導體元件及所述至少一導線。

9.根據權利要求1所述的光電半導體裝置，還包括：

一均熱裝置，附著至所述電路板的基板，且具有一中空容置空間及至少一開口，所述中空容置空間經由所述開口連通至所述電路板的孔洞；及

一冷卻液，位于所述中空容置空間及所述電路板的孔洞內，從而吸收所述光電半導體元件的熱以形成一蒸發氣體而在所述均熱裝置內流動。

10.根據權利要求9所述的光電半導體裝置，其中所述冷卻液的電阻率大于1000Ωm。

11.根據權利要求9所述的光電半導體裝置，其中所述均熱裝置為一熱管，其包括一外殼體及一毛細結構，所述毛細結構位于所述外殼體的內側壁以定義出所述中空容置空間，所述均熱裝置的開口貫穿所述外殼體及所述毛細結構，而連通至所述中空容置空間，使得所述蒸發氣體可以在所述中空容置空間內流動，進而隔著所述外殼體與外界環境形成熱交換，最終冷凝成液態冷卻液。

12.一種光電半導體裝置，包括：

一電路板，具有至少一孔洞，所述孔洞貫穿所述電路板；

至少一光電半導體元件，具有一頂電極及一底電極，所述頂電極位于所述光電半導體元件的頂部，所述底電極位于所述光電半導體元件的底部，其中所述光電半導體元件的底電極完全蓋住所述孔洞且電氣連接至所述電路板，且部分所述底電極顯露于所述孔洞中；

至少一導線，電氣連接所述光電半導體元件的頂電極至所述電路板；

一均熱裝置，附著至所述電路板，且具有一中空容置空間及至少一開口，所述中空容置空間經由所述開口連通至所述電路板的孔洞；及

一冷卻液，位于所述中空容置空間及所述電路板的孔洞內，且用以接觸所述底電極，從而吸收所述光電半導體元件的熱以形成一蒸發氣體而在所述均熱裝置內流動，其中所述冷卻液為不導電材料，其電阻率大于1000Ωm。

13.根據權利要求12所述的光電半導體裝置，其中所述光電半導體元件至少包含發光二極管、光敏二極管、光電池、太陽能電池、電致發光二極管、激光二極管、功率放大器或集成電路元件。

14.根據權利要求12所述的光電半導體裝置，其中所述電路板還具有一基板及一電路層，所述電路層鄰接于所述基板，所述孔洞貫穿所述基板及所述電路層，且所述光電半導體元件位于所述電路層上。