[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210501329.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN103855318A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;馮小明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C23C14/35
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層包括保護(hù)層、氧化物層、氫化硫化物層和金屬薄片；

所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭；

所述氫化硫化物層材質(zhì)為氫化二硫化鎢、氫化二硫化鉬、氫化二硫化鉭、氫化二硫化鈮、氫化三硫化二銻或氫化三硫化二砷。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物層和氫化硫化物層交替層疊4～7層。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物層的厚度為80～150nm。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氫化硫化物層的厚度為80～150nm。

5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形；采用真空蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基板上依次制備功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層；

（2）采用磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭；

（3）采用反應(yīng)磁控濺射的方法在氧化物層上制備氫化硫化物層，所述氫化硫化物層的材質(zhì)為氫化二硫化鎢、氫化二硫化鉬、氫化二硫化鉭、氫化二硫化鈮、氫化三硫化二銻或氫化三硫化二砷，制備時(shí)通入氨氣和氬氣形成的混合氣體，其中氨氣占混合氣體的體積分?jǐn)?shù)為1%～9%；

（4）在氫化硫化物層上覆蓋金屬薄片，在金屬薄片邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述金屬薄片及基板內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）磁控濺射時(shí)通入氣體為氬氣，氣體流量為10～15sccm，本底真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa。

7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（3）反應(yīng)磁控濺射時(shí)，本底真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa。

8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（3）反應(yīng)磁控濺射時(shí)，氣體流量為10～15sccm。

9.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，氨氣占混合氣體的體積分?jǐn)?shù)為5%。

10.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在步驟（3）后采用和步驟（2）相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，再在所述氧化物層上采用步驟（3）相同的方法和材質(zhì)制備氫化硫化物層，以此類推，最終得到氧化物層和氫化硫化物層交替層疊4～7層形成的多層結(jié)構(gòu)。