[發(fā)明專利]一種高分子發(fā)光二極管的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210499417.8
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN103094493A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞浩輝;周宇杭;呂鎖方;顧忠杰
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇威納德照明科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光電器件的制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。?

背景技術(shù)

高分子發(fā)光二極管具有材料成本低廉，驅(qū)動電壓低，主動發(fā)光，視角寬，能耗低等特點(diǎn)，更有易于大面積成型，發(fā)光波長可通過分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而進(jìn)行調(diào)節(jié)等優(yōu)勢，可以廣泛應(yīng)用于高分辨全色平面顯示器，也可以應(yīng)用于聚合物太陽能電池。?

當(dāng)在高分子發(fā)光二極管兩端加上正向偏壓，空穴由正極注入到高分子發(fā)光層的價帶并向負(fù)極遷移，電子由負(fù)極注入到高分子發(fā)光層的導(dǎo)帶并向正極遷移。空穴和電子在遷移過程中互相俘獲，復(fù)合成激子，激子態(tài)的電子發(fā)生輻射躍遷，能量以光子形式釋放出去，實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光。但是，現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管仍存在一些缺陷，柔性發(fā)光二極管的制備工藝復(fù)雜，成本高，制備的發(fā)光二極管的發(fā)光性能不能滿足需要，因此希望研發(fā)一種更好性能的有機(jī)/高分子發(fā)光二極管，效率高，制備工藝簡單且成本低。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開了一種高分子發(fā)光二極管的制造方法，該方法制備工藝簡單、?成本低且制得的發(fā)光二極管發(fā)光效率高。?

本發(fā)明的高分子發(fā)光二極管的制造方法包括依次制備襯底、陽極、高分子發(fā)光層和陰極，其中，?

制備所述高分子發(fā)光層的方法包括以下步驟：?

(1)式(II)的聚合物?

在堿性環(huán)境下與巰基乙酸甲酯發(fā)生環(huán)化反應(yīng)生成式(III)的聚合物?

(2)式(III)的聚合物與酰鹵縮合形成式(IV)的聚合物?

(3)式(IV)的聚合物經(jīng)堿去質(zhì)子化后與碘代物反應(yīng)得到式(V)的聚合物?

(4)由(V)的聚合物經(jīng)Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)后用強(qiáng)堿皂化得到式(I)的聚合物?

其中，R₁選自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；?

R₂選自氫，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12雜環(huán)，C3-C18雜芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7環(huán)烷基；?

R₃選自氫，鹵素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；?

R₄選自氫，鹵素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；?

R₅選自氫，鹵素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，疊氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；?

R₆選自氫，鹵素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14雜?芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14雜芳基烷基，C3-C12雜環(huán)，C3-C7環(huán)烷基或C3-C7環(huán)烯基；?