[發明專利]一種高分子發光二極管的制造方法無效
| 申請號: | 201210499417.8 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN103094493A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 虞浩輝;周宇杭;呂鎖方;顧忠杰 | 申請(專利權)人: | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 黃明哲 |
| 地址: | 213342 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高分子 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種高分子發光二極管的制造方法,包括依次制備襯底、陽極、高分子發光層和陰極,其特征在于,
制備所述高分子發光層的方法包括以下步驟:
(1)式(II)的聚合物
在堿性環境下與巰基乙酸甲酯發生環化反應生成式(III)的聚合物
(2)式(III)的聚合物與酰鹵縮合形成式(IV)的聚合物
(3)式(IV)的聚合物經堿去質子化后與碘代物反應得到式(V)的聚合物
(4)由(V)的聚合物經Suzuki偶聯反應后用強堿皂化得到式(I)的聚合物作為高分子發光層
其中,R1選自C1-C12烷基,C2-C12烯基,C2-C12炔基,C6-C14芳基,C3-C12雜環,C3-C18雜芳基烷基,C6-C18芳基烷基或C3-C7環烷基;
R2選自氫,C1-C12烷基,C2-C12烯基,C2-C12炔基,C3-C12雜環,C3-C18雜芳基烷基,C6-C18芳基烷基或C3-C7環烷基;
R3選自氫,鹵素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,疊氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-O?Rl;
R4選自氫,鹵素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,疊氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-O?Rl;
R5選自氫,鹵素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,疊氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl;
R6選自氫,鹵素,C1-C12烷基,C2-C12烯基,C6-C14芳基,C5-C14雜芳基,C6-C14芳基烷基,C5-C14雜芳基烷基,C3-C12雜環,C3-C7環烷基或C3-C7環烯基;
A選自-NRjSO2Rk,-ORn,-NRoSO2NRpRq;B選自-CO-,-SO2-;
R1、R6非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代:鹵素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,疊氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl;R2非氫時可被一種或一種以上的以下基團所任選取代:鹵素或-ORm;
上述中,Ra,Rb,Rc,Rd,Re,Rf,Rg,Rh,Ri,Rj,Rk,Rl,Rn,Ro,Rp,Rq獨立地選自氫或C1-C6烷基或C6-C14芳基;Rm獨立地選自氫或C1-C6烷基。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





