[發(fā)明專利]一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210499277.4
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN102978584A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 粟婷;屈生雙;屈宸遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/44
• 代理公司: 中山市漢通知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44255
• 代理人: 田子榮;石仁

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的在基片上形成SiN薄膜的裝置，主要為磁控濺射鍍膜設(shè)備，缺陷是設(shè)備投入成本高。故有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低的用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，以滿足需求。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的在于提供一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低。

一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：包括

一真空反應(yīng)腔；

一基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，用以放置基片；

一基片測溫模塊，設(shè)于基片架上，用以測量基片溫度；

一氣體導(dǎo)入模塊，與真空反應(yīng)腔連接并與基片架相對，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送N₂H₄、N₂和SiH₄氣體；

一加熱用催化器，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊與基片架之間，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)以形成SiN薄膜；以及

一紅外熱溫測儀，用以檢測所述加熱用催化器的溫度。

本發(fā)明之一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低，可大大降低企業(yè)在購買設(shè)備中產(chǎn)生的高昂成本。

本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn)：

上述所述基片測溫模塊為一熱電偶，其可將檢測到的代表基片溫度的熱電動勢信號發(fā)送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據(jù)該熱電動勢信號顯示基片的溫度值。

上述所述氣體導(dǎo)入模塊為一伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)的導(dǎo)氣管，該導(dǎo)氣管的伸入端沿水平方向橫向設(shè)置且間隔開設(shè)有若干氣嘴。

上述所述加熱用催化器為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，且該加熱線圈與所述基片架平行。

上述所述紅外熱溫測儀設(shè)于真空反應(yīng)腔外，所述真空反應(yīng)腔的側(cè)壁上對應(yīng)該紅外熱溫測儀的位置處設(shè)有一可供紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透進(jìn)入的透明窗口，紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透過透明窗口后投射在所述加熱用催化器上。

本發(fā)明還包括抽氣系統(tǒng)，該抽氣系統(tǒng)與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。

上述所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的電磁閥和真空泵。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明示意圖。

具體實(shí)施方式：

如圖1所示，一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，包括一真空反應(yīng)腔1、一基片架、一基片測溫模塊2、一氣體導(dǎo)入模塊3、一加熱用催化器4、一紅外熱溫測儀5、以及一抽氣系統(tǒng)。

所述基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔1內(nèi)，用以放置基片10。

所述基片測溫模塊2，設(shè)于基片架上，用以測量基片10溫度，其為一熱電偶，可將檢測到的代表基片溫度的熱電動勢信號發(fā)送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據(jù)該熱電動勢信號顯示基片的溫度值。本實(shí)施例中，所述基片10的溫度在230~380度之間，優(yōu)選300度。

所述氣體導(dǎo)入模塊3，與真空反應(yīng)腔1連接并與基片架相對，為一伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)的導(dǎo)氣管，該導(dǎo)氣管的伸入端沿水平方向橫向設(shè)置且間隔開設(shè)有若干氣嘴，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送N₂H₄、N₂和SiH₄氣體。本實(shí)施例中，所述N₂H₄和N₂氣體的氣壓與SiH₄氣體的氣壓比在0~10之間，其中，SiH₄氣體的氣壓在7~24Pa，SiH₄氣體的流量在2~10SCCM。

所述加熱用催化器4，為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，設(shè)于真空反應(yīng)腔1內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊3與基片架之間，且與所述基片架平行，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)最終在本實(shí)施例中所述的基片10上氣相沉積形成SiN薄膜，其沉積率為100nm/min。本實(shí)施例中，加熱用催化器的溫度在1200~1390度之間。

所述紅外熱溫測儀5，設(shè)于真空反應(yīng)腔1外，所述真空反應(yīng)腔1的側(cè)壁上對應(yīng)該紅外熱溫測儀5的位置處設(shè)有一可供紅外熱溫測儀5所發(fā)出的紅外光穿透進(jìn)入的透明窗口11，紅外熱溫測儀5所發(fā)出的紅外光穿透過透明窗口11后投射在所述加熱用催化器4上，用以檢測所述加熱用催化器4的溫度。

所述抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔1連接并抽吸反應(yīng)尾氣，包括與真空反應(yīng)腔1依次氣路連接的電磁閥6和真空泵（圖中未示出）。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。