[發明專利]一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置無效
| 申請號： | 201210499277.4 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN102978584A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 粟婷;屈生雙;屈宸遠 | 申請（專利權）人： | 中山市創科科研技術服務有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中山市漢通知識產權代理事務所 44255 | 代理人： | 田子榮;石仁 |
| 地址： | 528400 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用以 基片上 形成 sin 薄膜 裝置 | ||
1.一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：包括
一真空反應腔；
一基片架，設于真空反應腔內，用以放置基片；
一基片測溫模塊，設于基片架上，用以測量基片溫度；
一氣體導入模塊，與真空反應腔連接并與基片架相對，用以向真空反應腔內輸送N2H4、N2和SiH4氣體；
一加熱用催化器，設于真空反應腔內并位于氣體導入模塊與基片架之間，用以對輸送入真空反應腔內的氣體進行加熱并加快各氣體間的反應以形成SiN薄膜；以及
一紅外熱溫測儀，用以檢測所述加熱用催化器的溫度。
2.根據權利要求1所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：所述基片測溫模塊為一熱電偶，其可將檢測到的代表基片溫度的熱電動勢信號發送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據該熱電動勢信號顯示基片的溫度值。
3.根據權利要求1或2所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：所述氣體導入模塊為一伸入真空反應腔內的導氣管，該導氣管的伸入端沿水平方向橫向設置且間隔開設有若干氣嘴。
4.根據權利要求3所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：所述加熱用催化器為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，且該加熱線圈與所述基片架平行。
5.根據權利要求4所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：所述紅外熱溫測儀設于真空反應腔外，所述真空反應腔的側壁上對應該紅外熱溫測儀的位置處設有一可供紅外熱溫測儀所發出的紅外光穿透進入的透明窗口，紅外熱溫測儀所發出的紅外光穿透過透明窗口后投射在所述加熱用催化器上。
6.根據權利要求5所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：還包括抽氣系統，該抽氣系統與真空反應腔連接并抽吸反應尾氣。
7.根據權利要求6所述的一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：所述抽氣系統包括與真空反應腔依次氣路連接的電磁閥和真空泵。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
