[發明專利]一種溶膠-凝膠法制備BiFe1‐xCrxO3 鐵電薄膜的方法有效
| 申請號: | 201210498900.4 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103121836A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 談國強;劉文龍 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/42 | 分類號: | C04B35/42;C04B35/624 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溶膠 凝膠 法制 bife sub cr 薄膜 方法 | ||
技術領域
本發明屬于功能材料領域,涉及在功能化的FTO/glass基板表面制備BiFe1-xCrxO3薄膜的方法。?
背景技術
BiFeO3具有鐵電性和反鐵磁性,并伴隨弱的鐵磁性,這極大的引起了人們研究興趣。BiFeO3具有扭曲的鈣鈦礦結構,室溫下同時具有鐵電有序(TC=810℃)和G型反鐵磁有序(TN=380℃),是少數幾種單相多鐵材料之一。BiFeO3在信息存儲、信息存儲、圖像顯示等方面具有廣泛的應用。但是,純相BiFeO3存在著大漏導的問題,導致他無法獲得飽和的電滯回線和較高的剩余極化,從而大大的限制了它的實際應用。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種溶膠-凝膠法制備BiFe1-xCrxO3薄膜的方法,該種方法能夠制備出一種BiFe0.98Cr0.02O3薄膜,以解決大漏導和剩余極化低的問題。?
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案:?
一種溶膠-凝膠法制備BiFe1-xCrxO3鐵電薄膜的方法,包括以下步驟:?
步驟1:將Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O和Cr(NO3)3·9H2O按摩爾比1.05∶1-x∶x溶于乙二醇甲醚、醋酸酐和乙醇胺的混合液中,磁力攪拌后得到金屬離子濃度為0.003~0.3mol/L的穩定的BiFe1-xCrxO3前驅液,其中x=0.00~0.03,乙二醇甲醚、醋酸酐和乙醇胺的體積比為14∶5∶1。?
步驟2:采用旋涂法在FTO/glass基片上旋涂BiFe1-xCrxO3前驅液制備薄膜,采用層層退火工藝處理,得到晶態BiFe1-xCrxO3薄膜。?
本發明進一步的改進在于,步驟1中x=0.01、x=0.02或x=0.03。?
本發明進一步的改進在于,步驟1中攪拌時間為3h。?
本發明進一步的改進在于,步驟2中重復旋涂制備薄膜,層層退火工藝處理直到得到所期望厚度的薄膜。?
本發明進一步的改進在于,0<x≤0.03。?
本發明進一步的改進在于,0<x≤0.02。?
本發明進一步的改進在于,0<x≤0.01。?
本發明進一步的改進在于,0.01≤x≤0.03。?
本發明進一步的改進在于,0.02≤x≤0.03。?
本發明進一步的改進在于,0.01≤x≤0.02。?
相對于現有技術,本發明具有以下優點:?
1.本發明方法選擇Cr進行B位摻雜,Cr3+半徑小于Fe3+,摻雜后,固熔進入晶格,可以使原本近似呈鈣鈦礦結構的鐵酸鉍晶格扭曲,結構畸變加劇,薄膜內電疇的翻轉數量增加,從而提高薄膜的鐵電性。?
2.目前用于制備BiFeO3薄膜的方法有很多,如化學氣相沉積法(CVD)、磁控濺射法(rf?magnetron?sputtering)、金屬有機物沉積法(MOD)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)、液相沉積法(LPD)、分子束外延法(MBE)、脈沖激光沉積法(PLD)、溶膠-凝膠法(Sol-Gel)等。相比其他方法,Sol-Gel方法由于設備簡單,反應容易進行,反應溫度較低,易操作,適宜在大的表面和形狀不規則的表面上制備薄膜,易實現分子水平上的均勻摻雜,以及化學組分精確可控等優點而被廣泛用來制備鐵電材料。?
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