[發明專利]防止半自動探針臺探針燒針的裝置無效
| 申請號: | 201210497627.3 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103018500A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 李瀚超;尹彬鋒;趙敏 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/067 | 分類號: | G01R1/067 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防止 半自動 探針 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種半自動探針臺探針的防護裝置,尤其涉及一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置。
背景技術
在晶圓級別可靠性測試中,需要測量介質的擊穿電壓,在介質被擊穿的一瞬間,通過探針的電流急劇變大,產生大量焦耳熱,導致探針因溫度過高而燒針。
如圖1中所示,介質3未被擊穿時,其結構類似于電容,其電阻無窮大。此時源能量單元1通過探針2的電流很小,小于微安級別(10^-6安培)。如圖2中所示,在擊穿瞬間,擊穿后的介質4的電阻變小,在10歐姆左右。假設源能量單元1施加的電壓為10V,則擊穿的瞬間通過探針2的電流為1A。
擊穿瞬間的電流相對于擊穿前的電流變化了100萬倍。而焦耳熱等于電壓、電流、時間的乘積,產生的焦耳熱相對于擊穿前增加了100萬倍,從而導致探針2因瞬間產生的過高溫度而燒針現象,導致探針2的損壞。
因此,本領域的技術人員致力于開發一種能防止半自動探針臺探針燒針的裝置。
發明內容
鑒于上述的現有技術中的問題,本發明所要解決的技術問題是現有的技術中探針的燒針現象。
本發明提供的一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置,包括源測量單元和探針,所述源測量單元和探針相互之間形成回路,還包括設于所述源測量單元和探針之間的電阻元件,所述電阻元件串聯于所述源測量單元和探針的回路中。
在本發明的一個較佳實施方式中,還包括測試機座,所述測試機座的兩端分別與所述源測量單元和探針相連,所述電阻元件設于所述測試機座中,所述電阻元件的兩端分別與所述測試機座的兩端相連。
在本發明的另一較佳實施方式中,還包括與所述探針相連的介質,所述探針用于測試所述介質的擊穿電壓。
在本發明的另一較佳實施方式中,所述源測量單元在測試時提供的電壓為0.1-200V。
在本發明的另一較佳實施方式中,所述電阻元件的電阻為0.1-10K歐姆。
在本發明的另一較佳實施方式中,所述電阻元件的電阻為1K歐姆。
本發明的防止半自動探針臺探針燒針的裝置,結構簡單、制作方便、使用和安裝均較為簡便。可以在測試介質的擊穿電壓時,防止探針因瞬間產生的過高溫度而發生燒針現象,保障了探針的安全使用。
附圖說明
圖1是現有技術的測試介質擊穿電壓時的結構示意圖;
圖2是現有技術的測試介質被擊穿時的結構示意圖;
圖3是本發明的實施例的介質未被擊穿時的結構示意圖;
圖4是本發明的實施例的介質被擊穿時的結構示意圖。
具體實施方式
以下將結合附圖對本發明做具體闡釋。
如圖3中所示的本發明的實施例的一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置,包括源測量單元1和探針2。源測量單元1和探針2相互之間形成回路。此外,還包括設于源測量單元1和探針2之間的電阻元件5。電阻元件5串聯于源測量單元1和探針2的回路中。
本發明在源測量單元1和探針2的回路中串聯電阻元件5,在介質被擊穿時,由于電阻元件5的存在,可以有效的降低整個回路中的電流,從而起到防止流經探針的瞬間產生的過高電流產生的過高溫度。
在本發明的實施例中,還包括測試機座,測試機座的兩端分別與源測量單元和探針相連,電阻元件設于測試機座中,電阻元件的兩端分別與測試機座的兩端相連。
此外,如圖3中所示,在本發明的實施例中,還包括與探針2相連的介質3,探針2用于測試介質3的擊穿電壓。優選此時源測量單元1在測試時提供的電壓為0.1-200V,并優先為10V;優選電阻元件5的電阻為0.1-10K歐姆,并優選為1K歐姆。
此時,在加入電阻元件5(1k歐姆)后,如圖3中所示,介質3未被擊穿時,由于介質3的電阻為無窮大,加上一個1k歐姆的電阻元件5對整個電路幾乎沒有影響,所以此時通過探針2的電流仍然很小,在微安級別。如圖4中所示,在擊穿瞬間,整個電路的電阻等于電阻元件5加擊穿后的介質4的電阻,約為1k歐姆,則通過探針2的電流約為10毫安(10^-2),相比未加電阻元件5時,擊穿瞬間電流的變化被降低了一百倍,產生的焦耳熱也降低了一百倍,起到了保護探針的作用。
以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述,但其只是作為范例,本發明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領域技術人員而言,任何對本發明進行的等同修改和替代也都在本發明的范疇之中。因此,在不脫離本發明的精神和范圍下所作的均等變換和修改,都應涵蓋在本發明的范圍內。
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