[發明專利]一種去除死層的常規工藝電池片制備方法有效
| 申請號: | 201210495586.4 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN102983218A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 方智;王慶錢 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10 |
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| 地址: | 314206 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 常規 工藝 電池 制備 方法 | ||
1.一種去除死層的常規工藝電池片制備方法,即在擴散后在用濕法刻蝕的機臺在PN結表面通過噴淋的方式進行反刻,反刻工藝采用按照一定比例混合的氫氟酸、硝酸、水的混合酸液,經過一定的反應時間,將表層P含量濃度最高的硅腐蝕掉,然后再經過水槽來去除表面酸殘留、堿洗來去除表面的多孔硅。
2.根據權利要求1所述的一種去除死層的常規工藝電池片制備方法,其特征在于經過擴散工藝后,方阻范圍控制在60±2Ω/□。
3.根據權利要求1所述的一種去除死層的常規工藝電池片制備方法,其特征在于反刻采用的混酸溶液中氫氟酸的體積分數為3±0.5%,硝酸的體積分數為25±1%,反應時間為15~20秒。
4.根據權利要求1所述的一種去除死層的常規工藝電池片制備方法,其特征在于反刻后的方阻范圍控制在75±2Ω/□。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





