[發明專利]一種去除死層的常規工藝電池片制備方法

有效

• 申請號: 201210495586.4
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN102983218A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 方智;王慶錢
• 申請（專利權）人: 浙江鴻禧光伏科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及的是晶硅太陽能電池片的制作技術領域，具體地說是涉及一種去除死層的常規工藝電池片制備方法。

背景技術

晶硅太陽能電池片的常規制備工藝主要包括制絨，擴散，邊緣刻蝕，去PSG，PECVD沉積SiN_x薄膜，絲網印刷電極工序，其中擴散的作用是形成PN結，用于吸收光能，分離產生電子。

擴散工藝中，通常采用三氯氧磷液態源擴散法制結。即利用POCl₃與O₂反應，在硅片表面形成磷硅玻璃，P原子因為濃度差異，從硅片表面擴散進入一定深度（一般都小于0.5um）而與硅片（摻雜B）形成PN結。在這個擴散過程中，P原子的濃度是從表面隨著擴散深度的加大而逐漸降低。最表面一層P原子濃度最大，多出來的不活潑磷原子處于晶格間隙位置，會引起晶格缺陷，增加了電子復合的幾率，降低了光生電子的利用率，降低了電池片轉換效率，這層P原子最大的區域稱為“死層”。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于提供一種去除死層的常規工藝電池片制備方法，從而進一步提高晶硅太陽能電池片的光電轉換效率。

為解決上述問題，本發明提供了一種去除死層的常規工藝電池片制備方法，即利用SE?電池片制備工藝的濕法刻蝕的機臺來實現常規工藝的死層反刻去除工藝。其具體的技術方案是在擴散后用濕法刻蝕的機臺在PN結表面通過噴淋的方式進行反刻，反刻工藝采用按照一定比例混合的氫氟酸、硝酸、水的混合酸液，經過一定的反應時間，將表層P含量濃度最高的硅腐蝕掉，然后再經過水槽來去除表面酸殘留、堿洗來去除表面的多孔硅。在經過擴散后的方阻值要比常規工藝中擴散后的方阻值略低。

本發明的有益效果是能夠有效地控制表面死層，降低表面P濃度，提高光生電流，達到提高電池片的光電轉換效率的目的。

附圖說明????

圖1?為常規工藝制備電池片的工藝流程

圖2?為本發明提供的技術方案的工藝流程

具體實施方式

下面結合附圖對本發明提供的一種去除死層的常規工藝電池片制備方法作進一步詳細說明。本實施方案是在制絨、PECVD、絲網印刷各道工序的工藝與原工藝相同的條件下進行的。具體實施方式如下：

1.??將經過制絨后的硅片采用三氯氧磷液態源擴散法制備PN結，擴散后的方阻為65Ω/□。

2.??將擴散后的硅片置于氫氟酸體積分數為3%、硝酸體積分數為26%的混合酸液中，反應時間為18秒，然后進行水洗去除表面殘留酸液、堿洗去除多孔硅。

3.??經過反刻的硅片的方阻為75Ω/□，再依次經過PECVD、絲網印刷工序制備出電池片，并進行電性能參數的測試。

采用常規工藝和本發明提供的技術方案制備的晶硅太陽能電池片的電性能參數如表1所示。根據實驗數據可以看出，采用本發明提供的技術方案制備的電池片的光電轉換效率與常規工藝相比，提高了0.051%，達到了提高電池片的光電轉換效率的目的。

表1?采用常規工藝和本發明提供的技術方案制備的晶硅太陽能電池片的電性能參數

實驗方案擴散方阻返刻后方阻UocIscRsRshFFNCellIrev2常規工藝75Ω∕0.62538.63030.00307137.6278.2817.371%0.3094返刻工藝65Ω75Ω0.62578.63890.00301137.7078.3817.422%0.2821