[發明專利]一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法

無效

• 申請號: 201210495452.2
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN102978621A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 董啟明
• 申請（專利權）人: 北京中訊四方科技股份有限公司
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;G03F7/38;G03F7/40
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

技術領域

本發明涉及一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，屬于聲表面波器件的光刻技術。

背景技術

濕法腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法，其是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步腐蝕溶掉。現有聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法如圖1所示，依次進行涂光刻膠、曝光、顯影、濕法刻蝕以及去膠的操作。目前對于鋁膜厚且占空比大的設計要求來看，由于鋁膜的濕法腐蝕存在測向腐蝕問題，故當鋁膜濕法腐蝕過程中濕法刻蝕的溶液溫度較高時，所涂的光刻膠就容易熔化，會出現過腐蝕現象而損壞光刻膠下面的其他材料。

發明內容

本發明提供了一種濕法腐蝕的方法，以解決當鋁膜濕法腐蝕過程中濕法刻蝕的溶液溫度較高時，所涂的光刻膠就容易熔化，會出現過腐蝕現象而損壞光刻膠下面的其他材料的問題，為此本發明采用如下的技術方案：

一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，當鋁膜厚度（μm）與聲表面波器件的聲波長（m/s）之比大于10％時，將經過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進行預烘烤和提高溫度的第二次烘烤。

本發明實施方式提供的技術方案中增加烘烤工序可以使得在濕法刻蝕的溶液溫度較高時光刻膠不易熔化，使其既滿足了鋁膜厚且占空比大的設計要求，又增強了光刻膠的性能，從而保證了鋁膜的線條寬度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明所述的現有聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法流程中晶片的效果示意圖；

圖2是本發明所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法流程中晶片的效果示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

在本發明實施方式提供的一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法中，當鋁膜厚度（μm）與聲表面波器件的聲波長（m/s）之比大于10％時，將經過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進行預烘烤和提高溫度的第二次烘烤。

其中，預烘烤的溫度可以在100攝氏度至130攝氏度之間，烘焙時間在25分鐘到35分鐘之間。預烘焙的溫度選擇在120攝氏度，烘焙時間選擇在30分鐘時，效果最佳。

其中，提高溫度的第二次烘烤的溫度在150攝氏度至170攝氏度之間，烘焙時間在25分鐘到35分鐘之間。第二次烘烤的溫度選擇在160攝氏度，烘焙時間選擇在30分鐘時，效果最佳。

具體地，在預烘烤后要立即進行提高溫度的第二次烘烤。通過這樣的預烘烤和二次烘烤改變了光刻膠的性能，使其在濕法刻蝕的溶液溫度較高時也不易熔化。

本發明實施方式提供的技術方案解決了當鋁膜濕法腐蝕過程中濕法刻蝕的溶液溫度較高時，所涂的光刻膠就容易熔化的問題，其采用先用稍高溫度預烘烤然后立即提高烘烤溫服進行第二次烘烤的方式，既滿足了鋁膜厚且占空比大的設計要求，又增強了光刻膠的性能，從而保證了鋁膜的線條寬度。

以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明實施例揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求的保護范圍為準。