[發明專利]一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法無效
| 申請號： | 201210495452.2 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN102978621A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 董啟明 | 申請（專利權）人： | 北京中訊四方科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/02 | 分類號： | C23F1/02;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址： | 100194 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面波 器件 中的 濕法 腐蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，當鋁膜厚度（μm）與聲表面波器件的聲波長（m/s）之比大于10％時，將經過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進行預烘烤和提高溫度的第二次烘烤。
2.根據權利要求1所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述預烘烤的溫度在100攝氏度至130攝氏度之間，烘焙時間在25分鐘到35分鐘之間。
3.根據權利要求1所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述提高溫度的第二次烘烤的溫度在150攝氏度至170攝氏度之間，烘焙時間在25分鐘到35分鐘之間。
4.根據權利要求2所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述預烘烤的溫度為120攝氏度，烘焙時間為30分鐘。
5.根據權利要求3所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述提高溫度的第二次烘烤的溫度為160攝氏度，烘焙時間為30分鐘。
6.根據權利要求1-5任一項所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述預烘烤后立即進行提高溫度的第二次烘烤。
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