[發(fā)明專利]電路連接器裝置及其方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210495227.9
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103137586A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 洛爾夫·安科·約科伯·格羅恩休斯;斯文·瓦爾奇克;艾米勒·德·布魯因;洛爾夫·布萊納
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/48;H05K1/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各種實施例的方面涉及電路，并且具體地涉及在集成電路封裝中采用的電路。

背景技術(shù)

許多電路、電路裝置和集成電路封裝被用在需要高性能但是小尺寸的應用中。例如，便攜式手持設備受益于非常小、重量輕并且緊湊的集成電路系統(tǒng)。其他設備，諸如那些用于汽車行業(yè)、計算行業(yè)和各種基于電路產(chǎn)品的設備可以類似地受益于微型化。

當諸如集成電路的電路封裝尺寸減小時，所述部件的占地面積也減小。集成電路常常采用在晶片表面上的I/O接觸，用于將所述晶片連接至其他部件，諸如連接至其他電路。這種設備的形成常常涉及制造工藝，諸如焊料印制和焊料絲網(wǎng)/印制工藝(screen/stencil?process)，可能受限于其相對于彼此間隔接觸的能力。涉及更精確間隔的其他方法可能是昂貴的或者難以實施的。此外，盡管可以用較小的接觸間隔(例如橫向二極管或者晶體管)制造一些電路部件，可能需要接觸間隔較小的部件必須仍然維持較大的間隔用于兼容性的其他電路部件則不能制造。

這些和其他問題已經(jīng)給用于多種應用的電路和電路封裝的設計和實施方法提出了挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

各種示例實施例涉及電路及其實施方法。

結(jié)合各種實施例，一種電路裝置包括用于半導體器件的多側(cè)面接觸，所述半導體器件具有相應的接觸，相同表面接觸比經(jīng)由不同表面的接觸不易到達。與半導體器件的側(cè)壁和表面上的焊料接觸相鄰的采用隔離區(qū)，以便緩解所述焊料與襯底的接觸，從而緩解已焊接接觸和/或表面之間的泄漏電流和/或短路。電極在所述隔離區(qū)周圍延伸，分別經(jīng)由所述電路裝置的不同側(cè)面實現(xiàn)與所述器件不同部分的電接觸。

根據(jù)另一個示例實施例，電極方便與至半導體器件的不同區(qū)域的接觸，用于與具有多個半導體器件的外部封裝連接，其中至所述器件的相同表面連接是空間受限的。所述半導體器件具有第一和第二相對表面以及連接所述相對表面的相對側(cè)壁，包括形成了三維結(jié)構(gòu)的第一和第二(以及另一個)側(cè)壁。所述器件還包括第一和第二不同區(qū)域以及分別與所述第一和第二不同區(qū)域接觸的第一和第二導電接觸，所述接觸經(jīng)由公共表面比經(jīng)由不同表面更不易到達。第一電極與所述第一接觸連接并且沿所述第一表面以及沿至少一個側(cè)壁延伸。第二電極與所述第二接觸連接并且沿至少一個表面和一個側(cè)壁延伸，所述側(cè)壁不同于所述第一電極延伸所沿的側(cè)壁。其中具有開孔的隔離材料在所述第一表面處將所述第一導電接觸外露。所述第一電極延伸通過所述開孔以便接觸所述第一導電接觸。所述隔離材料使所述第一和第二電極彼此電絕緣并且與所述第一表面和相對的側(cè)壁電絕緣。

更具體的示例實施例涉及一種裝置，其中在半導體器件的公共表面附近的第一和第二接觸分別與沿所述器件的外表面延伸的電極相連并且提供經(jīng)由不同表面至所述接觸的通路。在一些情況下，在第一表面處實現(xiàn)至第一接觸的通路，以及經(jīng)由相反的表面實現(xiàn)至第二接觸的通路。隔離材料使所述電極彼此電隔離并且與所述半導體器件(例如與由所述側(cè)壁和表面限定的摻雜區(qū)域)電隔離。

另一個示例實施例涉及一種用于制造半導體器件的方法，用于連接至具有多個半導體器件的外部封裝，其中至所述器件的外部連接是空間受限的。在側(cè)壁上以及在半導體器件的第一表面上形成隔離材料，所述器件還具有與所述第一表面相對的第二表面以及在所述相對表面之間延伸的第一和第二相對的側(cè)壁。所述隔離材料具有開孔，使第一導電接觸外露在所述第一表面中并且與所述器件中的第一不同區(qū)域接觸。在所述隔離材料的一部分上形成第一電極，所述部分在所述第一表面上并且在至少一個側(cè)壁上并且延伸通過所述開孔并且接觸所述第一接觸。形成第二電極，經(jīng)由第二接觸與第二不同區(qū)域電接觸，沿一個側(cè)壁延伸，所述側(cè)壁不同于所述第一電極延伸所沿的側(cè)壁，從而提供經(jīng)由與不同側(cè)壁或表面相鄰的不同外部連接器至所述第一和第二接觸的通路。

上述討論/總結(jié)不旨在描述本公開的每一個實施例或者每個實施方法。下面的附圖和詳細描述也舉例說明了各種實施例。

附圖說明

結(jié)合附圖，考慮到下面的詳細描述，可以更全面地理解各種示例實施例，其中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示例實施例的處在制造階段的半導體晶片；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一個示例實施例的處在制造隔離階段的半導體晶片；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另一個示例實施例的處在制造階段的半導體晶片，其中所述晶片在晶片箔上倒裝；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個示例實施例的處在制造階段的半導體晶片，所述階段涉及分割步驟；