[發(fā)明專利]承載板及其制作方法

有效

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• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103857204B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡文宏
• 申請（專利權(quán)）人: 碁鼎科技秦皇島有限公司;臻鼎科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40;H05K3/46;H05K1/11
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44311
• 代理人: 哈達(dá)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路板制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種承載板及其制作方法。

背景技術(shù)

采用倒裝芯片球柵格陣列(FCBGA)進(jìn)行封裝芯片的電路板，通常需要制作陣列排布的多個導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，以用于承載錫球。所述導(dǎo)電凸塊需要貫穿防焊層并與對應(yīng)的導(dǎo)電線路相互電連接。現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用在所述導(dǎo)電線路上形成對應(yīng)的防焊層開口，然后在防焊層上形成電鍍阻擋層，并在電鍍阻擋層中形成與防焊層開口對應(yīng)的電鍍阻擋層。由于防焊層開口和電鍍阻擋層開口均需要顯影形成，并且需要相互連通，在制作過程中需要對應(yīng)的電鍍阻擋層開口與防焊層開口進(jìn)行對位。這樣，需要將防焊層開口制作的相對較大，以便于顯影形成電鍍阻擋層開口時進(jìn)行對位。這樣的制作方法決定了制作的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)的分布密度較小，不利于多個導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)密集分布。

發(fā)明內(nèi)容

因此，有必要提供一種承載板的制作方法，可以得到具有密集分布的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)的承載板。

一種承載板的制作方法，包括步驟：提供第一銅箔、第一離型膜、膠片、第二離型膜及第二銅箔，所述膠片具有中心區(qū)，所述第一離型膜與第二離型膜的形狀及大小與所述中心區(qū)的形狀及大小相互對應(yīng)；依次壓合第一銅箔、第一離型膜、膠片、第二離型膜及第二銅箔成為一個整體，所述膠片的中心區(qū)的兩側(cè)與第一離型膜和第二離型膜相互接觸，得到多層基板，所述多層基板包括產(chǎn)品區(qū)及環(huán)繞產(chǎn)品區(qū)的廢料區(qū)，所述產(chǎn)品區(qū)在第一銅箔表面的正投影位于所述中心區(qū)在第一銅箔表面的正投影之內(nèi)；在第一銅箔表面形成第一光阻層及第一介電層，在第二銅箔表面形成第二光阻層及第三介電層；在第一介電層及第一光阻層內(nèi)形成第一開孔，在所述第三介電層及第二光阻層內(nèi)形成第二開孔；在所述第一開孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電凸塊，在所述第二開孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電凸塊；在第一開孔內(nèi)形成第一延伸部并在第一介電層表面形成第一導(dǎo)電線路層，在第二開孔內(nèi)形成第二延伸部并在第三介電層表面形成第三導(dǎo)電線路層，第一導(dǎo)電線路層通過第一延伸部與第一導(dǎo)電凸塊相互電連通，第三導(dǎo)電線路層通過第二延伸部與第二導(dǎo)電凸塊相互電連通；沿著產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界線進(jìn)行切割，并使得產(chǎn)品區(qū)中的第一銅箔與第一離型膜自然脫離，產(chǎn)品區(qū)中的第二銅箔與第二離型膜自然脫離，從而得到相互分離的第一承載基板和第二承載基板；以及從第一承載基板中去除第一銅箔及第一光阻層，得到第一承載板，從第二承載基板中去除第二銅箔及第二光阻層，得到第二承載板。

一種承載板，其包括第一介電層、多個導(dǎo)電凸塊及第一導(dǎo)電線路層，所述第一介電層具有相對的第一表面和第二表面，所述導(dǎo)電凸塊的一端凸出于所述第一表面，所述第一導(dǎo)電線路層形成于所述第一介電層的第二表面一側(cè)，所述第一導(dǎo)電線路層包括延伸至第一介電層內(nèi)的延伸部，所述導(dǎo)電凸塊通過所述延伸部與第一導(dǎo)電線路層相互電連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案提供的承載板的制作方法，在制作用于形成導(dǎo)電凸塊的盲孔時，采用一次激光燒蝕形成。這樣，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中采用兩次顯影分別在防焊層中形成開口而后在電鍍阻擋層中形成開口，電鍍阻擋層中形成開口需要與防焊層中的開口進(jìn)行對位，而需要設(shè)定較大的防焊層中的開口，不利于形成密集排布的導(dǎo)電凸塊。

附圖說明

圖1是本技術(shù)方案實施例提供的第一銅箔、第一離型膜、膠片、第二離型膜及第二銅箔的剖面示意圖。

圖2是本技術(shù)方案實施例提供的壓合第一銅箔、第一離型膜、膠片、第二離型膜及第二銅箔后得到多層基板的剖面示意圖。

圖3是圖2的第一銅箔表面上形成第一光阻層并在第二銅箔表面形成第二光阻層后的剖面示意圖。

圖4是圖3的第一光阻層表面形成第一介電層并在第二光阻層表面形成第三介電層后的剖面示意圖。

圖5是圖4的第一光阻層和第一介電層中形成第一開孔，第二光阻層和第三介電層中形成第二開孔后的剖面示意圖。

圖6是圖5的第一開孔中形成第一導(dǎo)電凸塊，第二開孔中形成第二導(dǎo)電凸塊后的剖面示意圖。

圖7至圖10是圖6的第一介電層表面形成第一導(dǎo)電線路層，第三介電層的表面形成第三導(dǎo)電線路層后的剖面示意圖。

圖11是圖10的第一導(dǎo)電線路層一側(cè)形成第二介電層及第二導(dǎo)電線路層，第二導(dǎo)電線路層一側(cè)形成第四介電層及第三導(dǎo)電線路層后的剖面示意圖。

圖12是圖11的第二導(dǎo)電線路層一側(cè)形成第一防焊層及第一防護(hù)層，第四導(dǎo)電線路層一側(cè)形成第二防焊層及第二防護(hù)層后的剖面示意圖。

圖13和圖14是切割得到的第一承載基板和第二承載基板的剖面示意圖。