[發明專利]一種鎢/銅栓結構及包括該鎢/銅栓結構的半導體器件無效
| 申請號： | 201210493782.8 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN103000615A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 胡彬彬;韓曉剛;陳建維;張旭昇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 結構 包括 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種鎢/銅栓結構，包括設置有源、漏、柵的半導體襯底，所述半導體襯底上表面覆蓋有層間介質層，其特征在于，所述層間介質層中設置有接觸通孔，所述接觸通孔的底部和側壁上覆蓋有阻擋層，所述鎢/銅栓覆蓋所述阻擋層上表面并充滿所述接觸通孔；
其中，所述鎢/銅包括鎢層和銅層，所述鎢層充滿所述接觸通孔的底部，所述銅層覆蓋所述鎢層的上表面，并充滿所述接觸通孔的上表面。
2.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，所述接觸通孔貫穿所述層間介質層至所述半導體襯底的上表面。
3.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，所述接觸通孔的直徑為80-200nm。
4.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，所述阻擋層的材質為Ti/TiN。
5.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，所述阻擋層的厚度為10-30nm。
6.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，采用回蝕工藝形成所述鎢層。
7.根據權利要求1所述的鎢/銅栓結構，其特征在于，所述鎢層與所述銅層的厚度比為2:1。
8.一種半導體器件，其特征在于，包括上述權利要求1-7中任意一項所述的鎢/銅栓結構。
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