[發明專利]透明導電元件的制備方法有效
| 申請號: | 201210493750.8 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103854804B | 公開(公告)日: | 2016-10-26 |
| 發明(設計)人: | 姜開利;李群慶;魏洋;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 元件 制備 方法 | ||
1.一種透明導電元件的制備方法,其包括以下步驟:
提供一碳納米管膜,該碳納米管膜包括多個碳納米管線并排且間隔設置,以及多個碳納米管搭接在該相鄰碳納米管線之間;
將該碳納米管膜設置于一熱塑性聚合物基底表面;
加熱軟化該熱塑性聚合物基底;
沿垂直于碳納米管線的方向拉伸該熱塑性聚合物基底和該碳納米管膜;以及
硬化該熱塑性聚合物基底以保持該碳納米管膜拉伸后的狀態。
2.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,所述碳納米管膜為直接從一碳納米管陣列中拉取獲得,所述碳納米管線的延伸方向與該碳納米管膜的拉取方向相同,所述多個碳納米管的延伸方向與所述碳納米管線的延伸方向成一夾角,且該夾角大于零度小于90度。
3.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述碳納米管膜直接設置并貼合在所述熱塑性聚合物基底表面。
4.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,進一步包括將多個碳納米管膜層疊設置于所述熱塑性聚合物基底同一表面,且該多個碳納米管膜中的碳納米管線沿同一方向延伸。
5.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,進一步包括將多個碳納米管膜分別設置于所述熱塑性聚合物基底相對的兩個表面,且該多個碳納米管膜中的碳納米管線沿同一方向延伸。
6.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,進一步包括將所述碳納米管膜設置于兩個層疊設置的熱塑性聚合物基底之間。
7.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述熱塑性聚合物基底的材料為聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚酰胺、聚醚酮、聚砜、聚醚砜、熱塑性聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚乙酸乙烯酯或聚對苯撐苯并雙惡唑中的一種或者幾種的混合物。
8.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述熱塑性聚合物基底為一熱塑性聚合物薄膜,所述熱塑性聚合物薄膜的厚度為1微米~2毫米。
9.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述加熱軟化該熱塑性聚合物基底的裝置為金屬雙輥、平板熱壓成型機、熱壓機、平板硫化機或烘箱。
10.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述加熱軟化該熱塑性聚合物基底的同時,給所述碳納米管膜施加一壓力,從而使該碳納米管膜至少部分嵌入該軟化的熱塑性聚合物基底之中。
11.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述拉伸該熱塑性聚合物基底和該碳納米管膜的速度小于20厘米每秒。
12.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述碳納米管膜在垂直于碳納米管線的方向的形變小于300%。
13.如權利要求1所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述拉伸后的碳納米管膜中的多個碳納米管線和多個碳納米管相互搭接形成一導電網絡。
14.一種透明導電元件的制備方法,其包括以下步驟:
提供一碳納米管膜,該碳納米管膜包括多個碳納米管線并排且間隔設置,以及多個碳納米管搭接在該相鄰碳納米管線之間;
將該碳納米管膜設置于一軟化的聚合物基底表面;
拉伸該聚合物基底和該碳納米管膜;以及
硬化該聚合物基底以保持該碳納米管膜拉伸后的狀態。
15.如權利要求14所述的透明導電元件的制備方法,其特征在于,所述聚合物基底為一熱固性聚合物基底。
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