[發明專利]一種干法刻蝕GaN基材料形成傾斜側壁的方法

無效

• 申請號: 201210492636.3
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103021835A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 徐洲;陳鵬;譚崇斌;徐兆青;張琳;吳真龍;徐峰;高峰;夏群;邵勇;王欒井;宋雪云
• 申請（專利權）人: 南京大學揚州光電研究院
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種干法刻蝕GaN基材料形成傾斜側壁的方法，其特征在于包括以下步驟：

1)?對被刻蝕的GaN基樣片進行清洗、烘干，去除表面水汽；

2)?光刻：采用可以形成厚膜的光刻膠，經包括勻膠、軟烘、曝光、顯影和堅膜工藝步驟，在GaN基樣片表面制作厚度為1μm～100μm、在干法刻蝕過程中可以逐漸膨脹，使掩蔽區域外擴的具有流動性的掩蔽層；

3)?對GaN基樣片進行干法刻蝕，形成傾斜側壁；

4)?將刻蝕后的GaN基樣片放入去膠液中去除殘留掩蔽層，再依次采用丙酮、無水乙醇進行超聲清洗，最后用去離子水漂洗，氮氣吹干。

2.根據權利要求1所述干法刻蝕GaN基材料形成傾斜側壁的方法，其特征在于所述GaN基材料為GaN、Al_xGa_1-xN、In_yGa_1-yN、Al_xIn_yGa_1-x-yN、AlN或InN中的任意一種；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

3.根據權利要求1所述干法刻蝕GaN基材料形成傾斜側壁的方法，其特征在于所述干法刻蝕為感應耦合等離子體刻蝕，或反應離子刻蝕，或反應離子深刻蝕。

4.根據權利要求1所述干法刻蝕GaN基材料形成傾斜側壁的方法，其特征在于所述傾斜側壁中側壁與水平面的夾角為30^o～80^o，側壁垂直高度為1μm～10μm。