[發(fā)明專利]白光發(fā)光二極管模塊

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210491243.0
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103839937A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳慶輝;吳秉宸
• 申請（專利權(quán)）人: 東貝光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/50
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;李涵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是與照明領(lǐng)域相關(guān)，特別是指一種可利用堆疊式的雙晶片混合紅色螢光粉，以發(fā)出高色彩飽和度的白光發(fā)光二極管模塊。

背景技術(shù)

由于發(fā)光二極管(LED)具有工作電壓低、耗電量少、性能穩(wěn)定、壽命長、抗沖擊、耐震動性強、重量輕、體積小、成本低等優(yōu)點，因此目前已廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域中。在日常生活中，因應(yīng)室內(nèi)照明需求大部分是使用發(fā)出白光的燈具，因此白光發(fā)光二極管的研究便成為一重要的議題。

目前白光LED的產(chǎn)生方式主要可分為兩種，第一種方法就是將紅、綠、藍三種LED組合產(chǎn)生混光，以取得白光光源；第二種方法就是利用一LED光源去激發(fā)其它發(fā)光材料混合形成白光。例如：通過藍光LED配合發(fā)黃光的螢光粉，或者用藍光LED配合發(fā)綠色光和發(fā)紅色光兩種螢光粉，或者用紫光或紫外LED去激發(fā)紅、綠、藍三種螢光粉等。

其中，直接將RGB三晶片封裝成一組LED，雖然混成白光可具有相當大的色域空間(Color?gamut)且混光效率好，可以自由調(diào)整每個晶片的驅(qū)動電流混光調(diào)配出不同的色彩。但是紅、綠、藍混光比例不易掌握，且各色發(fā)光效率受溫度影響程度皆不相同，晶片生命周期亦不相同，且制作成本高，所以此混白光方式在照明的運用上并不普遍。

而以藍光LED激發(fā)黃光的螢光粉雖可以產(chǎn)出白光，但其產(chǎn)生的白光演色性較差，無法與傳統(tǒng)白熾燈與冷陰極管(CCFL)相比。另，以紫外LED激發(fā)紅、綠、藍螢光粉產(chǎn)生的白光雖具有高演色性，但是由于紫外LED的發(fā)光效率不足，且因紫外光功率較高，容易對LED封裝材料造成明顯老化，因此無法應(yīng)用在一般照明或背光模塊。

因此，以需求來說，設(shè)計一個可簡化打線工藝、降低成本，且具有高色彩飽和度并提升白光混光效果的白光發(fā)光二極管模塊，已成市場應(yīng)用上的一個刻不容緩的議題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述現(xiàn)有技藝的問題，本發(fā)明的目的就是在提供一種具有高色彩飽和度并提升白光混光效果，且可簡化打線工藝、降低成本以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。

根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種白光發(fā)光二極管模塊，包含一導線架、一第一基色晶片、一第二基色晶片及一螢光粉層。所述導線架具有一容置凹槽。所述第一基色晶片設(shè)置于所述容置凹槽的中央底部，其發(fā)光表面的面積為A₁，且所述第一基色晶片發(fā)射一第一發(fā)射光源，其波長為λ₁，且380nm≦λ₁≦470nm。所述第二基色晶片疊置于所述第一基色晶片上方，其發(fā)光表面的面積為A₂，且所述第二基色晶片發(fā)射一第二發(fā)射光源，其波長為λ₂，且500nm≦λ₂≦550nm。所述螢光粉層設(shè)置于所述第二基色晶片上，并受激發(fā)后發(fā)出一螢光，其波長為λ₃，且600nm≦λ₃≦670nm。其中，所述第一基色晶片與所述第二基色晶片的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式：

0.5≦A₁/A₂≦2。

根據(jù)本發(fā)明的目的，再提出一種白光發(fā)光二極管模塊，包含一導線架、一第一基色晶片、一第二基色晶片及一螢光粉層。所述導線架具有一容置凹槽。所述第一基色晶片設(shè)置于所述容置凹槽的中央底部，其發(fā)光表面的面積為A₁，且所述第一基色晶片發(fā)射一第一發(fā)射光源，其波長為λ₁，且500nm≦λ₂≦550nm。所述第二基色晶片疊置于所述第一基色晶片上方，其發(fā)光表面的面積為A₂，且所述第二基色晶片發(fā)射一第二發(fā)射光源，其波長為λ₂，且380nm≦λ₁≦470nm。所述螢光粉層設(shè)置于所述第二基色晶片上，并受激發(fā)后發(fā)出一螢光，其波長為λ₃，且600nm≦λ₃≦670nm。其中，所述第一基色晶片與所述第二基色晶片的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式：

0.5≦A₁/A₂≦2。

其中，本發(fā)明的螢光粉層有多種實施態(tài)樣，所述螢光粉層可設(shè)置于所述容置凹槽內(nèi)，以覆蓋于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上；亦可涂布封裝于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上；或所述螢光粉層粘貼于所述第二基色晶片上，其發(fā)光表面的面積為A₃，且所述基色晶片、所述第二基色晶片及所述螢光粉層的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式：

0.8≦A₃/A₂≦1。