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[發(fā)明專利]白光發(fā)光二極管模塊無效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201210491243.0 申請日: 2012-11-27
公開(公告)號: CN103839937A 公開(公告)日: 2014-06-04
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: 吳慶輝;吳秉宸 申請(專利權(quán))人: 東貝光電科技股份有限公司
主分類號: H01L25/13 分類號: H01L25/13;H01L33/50
代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 代理人: 孫皓晨;李涵
地址: 中國臺*** 國省代碼: 中國臺灣;71
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 白光 發(fā)光二極管 模塊
【權(quán)利要求書】:

1.一種白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,包含:

一導(dǎo)線架,具有一容置凹槽;

一第一基色晶片,設(shè)置于所述容置凹槽的中央底部,其發(fā)光表面的面積為A1,且所述第一基色晶片發(fā)射一第一發(fā)射光源,其波長為λ1,且380nm≦λ1≦470nm;

一第二基色晶片,疊置于所述第一基色晶片上方,其發(fā)光表面的面積為A2,且所述第二基色晶片發(fā)射一第二發(fā)射光源,其波長為λ2,且500nm≦λ2≦550nm;以及

一螢光粉層,設(shè)置于所述第二基色晶片上,并受激發(fā)后發(fā)出一螢光,其波長為λ3,且600nm≦λ3≦670nm;

其中,所述第一基色晶片與所述第二基色晶片的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式:

0.5≦A1/A2≦2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層是填充置入所述容置凹槽內(nèi),以覆蓋于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層為一螢光片,所述螢光片粘貼于所述第二基色晶片上,其發(fā)光表面的面積為A3,且所述第二基色晶片及所述螢光片的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式:

0.8≦A3/A2≦1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層是以物理氣相沉積設(shè)置于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述第一基色晶片及所述第二基色晶片是分別通過多條導(dǎo)線連接至所述導(dǎo)線架的正負(fù)極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述第一基色晶片設(shè)置多個(gè)凸塊,且通過所述多個(gè)凸塊貼設(shè)于所述導(dǎo)線架的所述容置凹槽內(nèi),所述第二基色晶片是通過多條導(dǎo)線連接至所述導(dǎo)線架的正負(fù)極。

7.一種白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,包含:

一導(dǎo)線架,具有一容置凹槽;

一第一基色晶片,設(shè)置于所述容置凹槽的中央底部,其發(fā)光表面的面積為A1,且所述第一基色晶片發(fā)射一第一發(fā)射光源,其波長為λ1,且500nm≦λ1≦550nm;

一第二基色晶片,疊置于所述第一基色晶片上方,其發(fā)光表面的面積為A2,且所述第二基色晶片發(fā)射一第二發(fā)射光源,其波長為λ2,且380nm≦λ2≦470nm,所述第一發(fā)射光源與所述第二發(fā)射光源混合形成一疊合光源;以及

一螢光粉層,設(shè)置于所述第二基色晶片上,并發(fā)出一螢光,其波長為λ3,且600nm≦λ3≦670nm;

其中,所述第一基色晶片與所述第二基色晶片的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式:

0.5≦A1/A2≦2。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層是填充置入所述容置凹槽內(nèi),以覆蓋于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層為一螢光片,所述螢光片粘貼于所述第二基色晶片上,其發(fā)光表面的面積為A3,且所述第二基色晶片及所述螢光粉層的發(fā)光表面面積是符合下列關(guān)系式:

0.8≦A3/A2≦1。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述螢光粉層是以物理氣相沉積設(shè)置于所述第一基色晶片及所述第二基色晶片上。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述第一基色晶片及所述第二基色晶片是分別通過多條導(dǎo)線連接至所述導(dǎo)線架的正負(fù)極。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管模塊,其特征在于,所述第一基色晶片設(shè)置多個(gè)凸塊,且通過所述多個(gè)凸塊貼設(shè)于所述導(dǎo)線架的所述容置凹槽內(nèi),所述第二基色晶片是通過多條導(dǎo)線連接至所述導(dǎo)線架的正負(fù)極。

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