[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210490681.5
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103248354B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丘泳埈
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G01R31/3185
• 分類號: G01R31/3185;G01R31/28;H01L21/66;G01R31/317
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363
• 代理人: 周曉雨,俞波

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2012年2月14日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2012-0014856的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體而言涉及一種半導(dǎo)體電路，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體集成電路。

背景技術(shù)

為了改善集成度，通過層疊多個(gè)芯片來制造半導(dǎo)體集成電路。

作為其中之一，已經(jīng)積極地進(jìn)行對半導(dǎo)體集成電路的通孔（例如，穿通硅通孔（TSV））的研究。

根據(jù)這種方法，層疊多個(gè)芯片并形成穿通硅通孔，使得所有芯片彼此耦合。

在使用穿通硅通孔的半導(dǎo)體集成電路中，在制造過程中可能會產(chǎn)生各種缺陷。即，可能產(chǎn)生諸如以下的缺陷：表示導(dǎo)電材料未填滿穿通硅通孔的空洞、由于芯片彎曲或凸塊材料移動(dòng)所致的凸塊接觸故障，或在穿通硅通孔中產(chǎn)生的裂痕。

當(dāng)產(chǎn)生這樣的缺陷時(shí)，可能不能在芯片之間執(zhí)行各種信號的傳送或電源的供應(yīng)，導(dǎo)致半導(dǎo)體集成電路中的嚴(yán)重操作錯(cuò)誤。

就此而言，需要根據(jù)用于確定這些缺陷的產(chǎn)生的測試以及測試的結(jié)果來執(zhí)行修復(fù)操作。

在現(xiàn)有技術(shù)中，已經(jīng)使用了一種利用外部裝置來檢查輸出至半導(dǎo)體集成電路外部的測試信號并切斷修復(fù)熔絲的方法。

然而，由于半導(dǎo)體集成電路包括多個(gè)穿通硅通孔，為了測試在通孔中產(chǎn)生的缺陷并修復(fù)缺陷，需要利用外部裝置來觀察通孔或儲存一系列數(shù)據(jù)并使用修復(fù)程序等。

因此，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體集成電路中，測試時(shí)間以及與測試有關(guān)的數(shù)據(jù)增加，測試效率由于可用通道和測試設(shè)備的存儲器的限制而降低，并且額外地需要用于執(zhí)行修復(fù)操作的時(shí)間，導(dǎo)致半導(dǎo)體集成電路的制造產(chǎn)率下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明說明一種可以減少測試時(shí)間和修復(fù)時(shí)間的半導(dǎo)體集成電路。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體集成電路包括：經(jīng)由通孔而彼此耦合的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其中，多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最下層的半導(dǎo)體芯片被配置為產(chǎn)生第一測試脈沖信號并且經(jīng)由通孔來發(fā)送第一測試脈沖信號，多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最上層的半導(dǎo)體芯片被配置為在與第一測試脈沖信號大體保持時(shí)間差的同時(shí)產(chǎn)生第二測試脈沖信號，并且經(jīng)由通孔來發(fā)送第二測試脈沖信號，多個(gè)半導(dǎo)體芯片被配置為響應(yīng)于第一測試脈沖信號和第二測試脈沖信號而產(chǎn)生用于判定通孔是否有缺陷的測試結(jié)果信號。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體集成電路包括：經(jīng)由通孔而彼此耦合的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其中，多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最下層的半導(dǎo)體芯片被配置為產(chǎn)生第一測試脈沖信號并且經(jīng)由通孔來發(fā)送第一測試脈沖信號，多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最上層的半導(dǎo)體芯片被配置為在與第一測試脈沖信號大體保持時(shí)間差的同時(shí)產(chǎn)生第二測試脈沖信號，并且經(jīng)由通孔來發(fā)送第二測試脈沖信號，多個(gè)半導(dǎo)體芯片被配置為響應(yīng)于第一測試脈沖信號和第二測試脈沖信號而產(chǎn)生用于判定通孔是否有缺陷的測試結(jié)果信號，并且響應(yīng)于測試結(jié)果信號來改變與有缺陷的通孔耦合的信號路徑以修復(fù)通孔。

在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中，測試時(shí)間和修復(fù)時(shí)間減少，帶來制造產(chǎn)率的提高。

附圖說明

結(jié)合附圖來說明特征、方面和實(shí)施例，其中：

圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路100的框圖；

圖2是說明圖1的測試單元120、220、320的配置的框圖；

圖3至圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路100的測試控制信號的波形圖；

圖6是說明圖1的測試單元120、220、320的配置的另一個(gè)實(shí)例的框圖；

圖7是說明圖1的修復(fù)單元130的配置的電路圖；以及

圖8是說明圖1的發(fā)送/接收單元110和210與穿通硅通孔之間的連接關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖通過各種實(shí)施例來詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路。

首先，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路被概括為能夠進(jìn)行自我測試和修復(fù)。

如圖1所示，可以通過層疊多個(gè)芯片即主芯片101、從芯片0（201）以及從芯片1（301）來配置根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路100。

主芯片101、從芯片0（201）以及從芯片1（301）可以經(jīng)由多個(gè)穿通硅通孔（TSV）（在下文中稱為通孔）而彼此耦合。

多個(gè)通孔可以根據(jù)其用途而分為正常通孔、修復(fù)通孔以及專用通孔。

正常通孔可以用于發(fā)送正常的操作相關(guān)信號，例如命令、數(shù)據(jù)、地址等。

修復(fù)通孔可以用于在正常通孔中產(chǎn)生缺陷時(shí)替換正常通孔。

專用通孔可以用于傳送包括測試控制信號的單獨(dú)的信號。