[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210490681.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103248354B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丘泳埈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/3185 | 分類號(hào): | G01R31/3185;G01R31/28;H01L21/66;G01R31/317 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人: | 周曉雨,俞波 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 集成電路 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路,包括:經(jīng)由通孔而彼此耦合的多個(gè)半導(dǎo)體芯片,其中,所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最下層的半導(dǎo)體芯片被配置為產(chǎn)生第一測(cè)試脈沖信號(hào),并且經(jīng)由所述通孔來發(fā)送所述第一測(cè)試脈沖信號(hào),
所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的最上層的半導(dǎo)體芯片被配置為在與所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)保持時(shí)間差的同時(shí)產(chǎn)生第二測(cè)試脈沖信號(hào),并且經(jīng)由所述通孔來發(fā)送所述第二測(cè)試脈沖信號(hào),以及
所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片被配置為接收所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào),以及響應(yīng)于所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)而產(chǎn)生用于判定所述通孔是否有缺陷的測(cè)試結(jié)果信號(hào),
其中,所述通孔彼此耦接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述最下層的半導(dǎo)體芯片包括:
發(fā)送/接收單元,所述發(fā)送/接收單元被配置為向所述通孔發(fā)送內(nèi)部信號(hào),或接收經(jīng)由所述通孔傳送的信號(hào);以及
第一測(cè)試單元,所述第一測(cè)試單元被配置為在第一定時(shí)產(chǎn)生所述第一測(cè)試脈沖信號(hào),以及響應(yīng)于所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)而產(chǎn)生所述測(cè)試結(jié)果信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述最下層的半導(dǎo)體芯片還包括:
測(cè)試控制信號(hào)發(fā)生單元,所述測(cè)試控制信號(hào)發(fā)生單元被配置為產(chǎn)生用于控制所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述測(cè)試結(jié)果信號(hào)的產(chǎn)生時(shí)序的第一測(cè)試控制信號(hào)、第二測(cè)試控制信號(hào)和第三測(cè)試控制信號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述第一測(cè)試單元包括:
移位邏輯,所述移位邏輯被配置為在所述第一測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間接收所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)作為時(shí)鐘信號(hào)、將電源電壓的電平移位、并且激活所述測(cè)試結(jié)果信號(hào);
脈沖發(fā)生器,所述脈沖發(fā)生器被配置為響應(yīng)于所述第二測(cè)試控制信號(hào)而產(chǎn)生所述第一測(cè)試脈沖信號(hào);以及
發(fā)送器/接收器,所述發(fā)送器/接收器被配置為在所述第二測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間向所述通孔發(fā)送所述第一測(cè)試脈沖信號(hào),并且在所述第三測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間從所述通孔接收所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述移位邏輯包括:
第一觸發(fā)器和第二觸發(fā)器,所述第一觸發(fā)器和第二觸發(fā)器被配置為順序地將所述電源電壓的電平移位。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述最上層的半導(dǎo)體芯片包括:
發(fā)送/接收單元,所述發(fā)送/接收單元被配置為向所述通孔發(fā)送內(nèi)部信號(hào),或接收經(jīng)由所述通孔傳送的信號(hào);以及
第二測(cè)試單元,所述第二測(cè)試單元被配置為在第二時(shí)序產(chǎn)生所述第二測(cè)試脈沖信號(hào),以及響應(yīng)于所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)而產(chǎn)生所述測(cè)試結(jié)果信號(hào)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述第二測(cè)試單元包括:
移位邏輯,所述移位邏輯被配置為在所述第一測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間接收所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)作為時(shí)鐘信號(hào)、將電源電壓的電平移位、并且激活所述測(cè)試結(jié)果信號(hào);
脈沖發(fā)生器,所述脈沖發(fā)生器被配置為響應(yīng)于所述第三測(cè)試控制信號(hào)而產(chǎn)生所述第二測(cè)試脈沖信號(hào);以及
發(fā)送器/接收器,所述發(fā)送器/接收器被配置為在所述第二測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間從所述通孔接收所述第一測(cè)試脈沖信號(hào),并且在所述第三測(cè)試控制信號(hào)的激活持續(xù)時(shí)間向所述通孔發(fā)送所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,所述移位邏輯包括:
第一觸發(fā)器和第二觸發(fā)器,所述第一觸發(fā)器和所述第二觸發(fā)器被配置用于順序地將所述電源電壓的電平移位。
9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路,其中,除了所述最下層的半導(dǎo)體芯片和所述最上層的半導(dǎo)體芯片以外的其余的半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)包括:
發(fā)送/接收單元,所述發(fā)送/接收單元被配置為向所述通孔發(fā)送內(nèi)部信號(hào),或接收經(jīng)由所述通孔傳送的信號(hào);以及
第三測(cè)試單元,所述第三測(cè)試單元被配置為響應(yīng)于所述第一測(cè)試脈沖信號(hào)和所述第二測(cè)試脈沖信號(hào)而產(chǎn)生所述測(cè)試結(jié)果信號(hào)。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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