[發明專利]一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法

有效

• 申請號: 201210490416.7
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN102928154A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 習振華;李得天;馮焱;成永軍;馬奔;劉珈彤
• 申請（專利權）人: 中國航天科技集團公司第五研究院第五一〇研究所
• 主分類號: G01L21/30
• 分類號: G01L21/30
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 楊志兵;付雷杰

1.一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法，其特征在于：所述方法步驟如下：

（1）打開真空泵組（4），對真空室（3）進行抽氣；

（2）當真空室（3）的真空度降至10^-6Pa量級時，對整個裝置進行烘烤除氣，真空閥門（1）、電離規（2）、真空室（3）及四極質譜計（5）分別以30℃/h勻速率分別升至各自最高烘烤溫度，保持60～80小時，其中，真空閥門（1）、電離規（2）以及四極質譜計（5）的最高烘烤溫度為150℃，真空室（3）的最高烘烤溫度為350℃；待真空室（3）以30℃/h勻速率逐漸降至150℃后，對電離規（2）及四極質譜計（5）除氣3～5分鐘，真空閥門（1）、電離規（2）、真空室（3）及四極質譜計（5）同時以30℃/h勻速率降至室溫，然后連續抽氣，用電離規（2）測量真空室（3）內真空度，直至真空室（3）內的極限真空度達到10^-9Pa數量級，關閉真空泵組（4）；

（3）打開四極質譜計（5），穩定1～3小時以上；

（4）設定四極質譜計（5）的能量分析器中反射極電壓為氣相離子對應電壓，使得只有氣相離子及電子激勵脫附中性粒子產生的離子能夠通過，記錄不同質量數譜峰對應的離子流值，并確定真空室（3）內的氣體成分；

（5）設定四極質譜計（5）的能量分析器中反射極電壓為電子激勵脫附離子對應電壓，使得只有電子激勵脫附離子能夠通過，記錄不同質量數譜峰對應的電子激勵脫附離子流值；并參考步驟（4）中確定的真空室（3）內氣體成分確定其中可能導致電子激勵脫附離子及中性粒子產生的氣體成分；

（6）根據步驟（5）確定的可能導致電子激勵脫附離子及中性粒子產生的氣體成分，參考四極質譜計（5）手冊提供氣體成分譜峰各碎片峰相對豐度系數，計算得到真空室（3）內氣體成分對各碎片峰離子流值的貢獻量；

（7）利用步驟（4）中與步驟（6）相對應的質量數碎片峰的離子流值減去步驟（6）的計算結果，得到實際電子激勵脫附中性粒子產生的離子流值；

（8）步驟（4）中四極質譜計（5）各分壓力離子流值之和減去步驟（7）中實際電子激勵脫附中性粒子產生的離子流值，得到準確極高真空測量結果。

2.根據權利要求1所述的一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法，其特征在于：所述方法采用的裝置包括：真空閥門（1）、電離規（2）、真空室（3）、真空泵組（4）和四極質譜計（5）；其中，真空閥門（1）、電離規（2）、真空泵組（4）、四極質譜計（5）分別與真空室（3）相連。

3.根據權利要求1所述的一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法，其特征在于：所述四極質譜計（5）為離子源與四極桿之間裝有能量分析器的可分離電子激勵脫附離子與氣相離子的四極質譜計（5）。

4.根據權利要求1所述的一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法，其特征在于：所述真空閥門（1）為全金屬結構。

5.根據權利要求1所述的一種減小電子激勵脫附中性粒子誤差的極高真空測量方法，其特征在于：所述電離規（2）的測量下限為10^-10Pa量級。