[發明專利]一種用于場發射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210488574.9
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN102995091A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 梁佳;張耿民
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26;B82Y40/00
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種用于場發射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)以鈦片作為正極，在電解液中進行第一次陽極氧化；

2)步驟1)完畢之后，將鈦片從溶液中取出，去除鈦片上的納米管薄膜；

3)以步驟2)中的鈦片為正極，在電解液中進行第二次陽極氧化；

4)步驟3)完畢之后，將鈦片從溶液中取出，擺洗干凈，得到二氧化鈦納米尖陣列薄膜；

5)將步驟4)得到的二氧化鈦納米尖薄膜進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中采用丙酮、酒精和去離子水依次超聲10-20min，對鈦片進行預處理。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)和3)中以石墨或Pt電極作為負極。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)和3)中采用的電解液為含有質量百分比為0.25％的氟化銨和體積百分比為0.6％-1％的去離子水的乙二醇溶液。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中第一次氧化之前所述電解液需要老化36-60h。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中第一次陽極氧化的電壓為60V，時間為12-24h。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中利用超聲作用將納米管薄膜去除。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中第二次陽極氧化的電壓為60V，時間為8-12h。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中的電解液為步驟1)中使用過的電解液。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟4)中使用的擺洗液體為去離子水。

11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟5)中，退火溫度為350-700℃，退火時間為0.5-3h。