[發明專利]一種光刻膠做厚的方法

無效

• 申請號: 201210488190.7
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN103838087A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 李玉華
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;B05D7/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種光刻膠做厚的方法。

背景技術

半導體制造工藝中，通過一系列的光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積、平坦化以及清洗等工藝在半導體晶片上形成具有各種功能的集成電路，其中，用于定義刻蝕或摻雜區域的光刻工藝起著十分重要的作用。

在光刻工藝中，首先在半導體晶片上形成光刻膠層；然后將該光刻膠層進行烘烤后置于曝光設備中，通過曝光工藝對所述光刻膠層進行曝光，將掩模板上的圖案轉移到光刻膠層中；接著對曝光后的光刻膠層進行曝光后烘烤，并通過顯影工藝進行顯影，在光刻膠層中形成光刻圖形。

通常，在制造半導體器件時，半導體襯底上光刻膠的均勻性是非常關鍵的質量參數。如果所述光刻膠沒有被均勻涂覆，則在后續工藝中會導致分辨率差等問題，從而直接影響光刻效果。

通常的光刻膠由三種成分組成：a)、基體材料(也叫樹脂)，作為粘合劑，確定了膜的機械特性；b)、增感劑(也叫阻化劑),是一種感光的化合物(PAC)；c)、溶劑(不同于顯影液溶劑)，使光刻膠保持液態，但涂在襯底上時會揮發掉。基體材料通常對入射輻射無反應。也就是說，照射下不發生化學變化，但提供了有粘附力和耐腐蝕性的保護層，也確定了抗蝕劑的其它薄膜特性，如厚度、折射性和熱流穩定性。

現有技術中的涂布工藝中，所述半導體晶片可以為裸片或者已經具有半導體結構或器件的晶片等，首先向半導體晶片表面中央或接近中央的區域噴出RRC（Resist?Reduction?Coating，光刻膠減量涂層）；在半導體晶片表面旋涂光刻膠層；勻膠，通過旋轉半導體晶片將多余的光刻膠甩出半導體晶片的表面之外，使得半導體晶片表面不同位置的光刻膠厚度一致，并使光刻膠層中的溶劑揮發；進行邊洗工藝去除半導體晶片邊緣和背面的光刻膠邊圈；甩干半導體晶片邊緣多余的溶劑。

在涂布光刻膠的過程中，不考慮光刻膠自身的粘度等特性，光刻膠的厚度受勻膠主轉速的影響，勻膠主轉速與光刻膠厚度的平方成反比，光刻膠所能達到的厚度就很有限。光刻膠用于形成臨時圖形并且阻擋刻蝕或者注入，如果厚度不夠會導致器件參數異常或者可靠性異常。

通過上述的涂布工藝，雖然可以保證光刻膠的厚度一致，但為了獲得不同的光刻膠厚度，需要選用不同類型或者粘度的光刻膠，無疑增加了采購的成本和庫存的壓力，并且由于涂布機機臺上管路有限，頻繁更換光刻膠，也大大降低了機臺的利用率，甚至增加了工藝出錯的幾率。

因此，針對上述技術問題，有必要提供一種改良的光刻膠涂布工藝，以克服上述缺陷。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供了一種光刻膠做厚的方法，對現有的光刻膠涂布工藝進行改良和優化，在勻膠開始前增加了預勻膠這個關鍵步驟。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明的光刻膠做厚的方法，包括以下步驟：

噴RRC：提供待涂布的半導體晶片，向所述靜止狀態下的半導體晶片表面中央或接近中央的區域噴出RRC，以旋轉速度R1旋轉所述的半導體晶片；

所述的旋轉速度R1為1500RPM～2500RPM，旋轉時間為0.5s～1.5s；

噴光刻膠：增加旋轉速度到R2，并向所述的半導體晶片表面中央或接近中央的區域噴出光刻膠；

所述的旋轉速度R2為3000RPM～4500RPM，旋轉時間為0.1s～1.0s；

預勻膠：降低旋轉速度到R3進行預勻膠；

所述的旋轉速度R3為200RPM～500RPM，旋轉時間為5s～15s；

勻膠：增加旋轉速度到R4進行勻膠；

所述的旋轉速度R4為1000RPM～3000RPM，旋轉時間為10s～25s；

第一次邊清洗：降低旋轉速度到R5進行邊洗；

所述的旋轉速度R5為1000RPM～2000RPM，旋轉時間為1.5s～3s；

背面清洗：以旋轉速度R6對背面進行清洗；

所述的旋轉速度R6為1000RPM～2000RPM，旋轉時間為3s～7s；

第二次邊清洗：以旋轉速度R7再次進行邊洗；

所述的旋轉速度R7為1000RPM～2000RPM，旋轉時間為1.5s～3s；

甩干：以旋轉速度R8甩干清洗溶劑；

所述的旋轉速度R8為1000RPM～2000RPM，旋轉時間為5s～10s。